杨国锋
- 作品数：13 被引量：17H指数：2
- 供职机构：江南大学理学院更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金中国博士后科学基金江苏省博士后科研资助计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学医药卫生更多>>
- 玻璃衬底上制备GaN薄膜的研究进展被引量：1
- 2015年
- 近年来,Ga N基发光二极管（LED）的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣。但由于普通玻璃较低的软化温度（500~600℃）以及与Ga N之间存在较大的晶格失配问题,一直阻碍其发展。重点综述了玻璃衬底上生长Ga N薄膜的方法以及改善外延层晶体质量的技术。分别介绍了两种在普通玻璃上生长Ga N的方法,即低温生长和局部加热生长,同时详述了采用缓冲层和横向外延过生长（ELO）技术对外延Ga N晶体质量的影响。对局部加热、ELO等技术在玻璃衬底LED方面的应用进行了分析和预测,认为以玻璃为衬底的LED终会取得快速地发展。
- 汪金张卿杨国锋高淑梅李果华
- 关键词：氮化镓玻璃衬底发光二极管(LED)
- p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性被引量：1
- 2015年
- 随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的N面Ga N基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型In Ga N/Ga N超晶格来提高有源层中的载流子注入效率。为了对比N面Ga N基LED优异的器件性能,同时设计了具有相同结构的Ga面LED。通过对两种LED结构的电致发光特性、有源层中能带图、电场和载流子浓度分布进行比较可以发现,N面LED在输出功率和载流子注入效率上比Ga面LED有明显的提升,从而表明N面Ga N基LED具有潜在的应用前景。
- 姚楚君杨国锋孙锐许桂婷李月靖蔡乐晟
- 关键词：极化效应
- 基于十八硫醇修饰的Al_(0.6)Ga_(0.4)N MSM光电探测器研究被引量：1
- 2021年
- 高Al组分的AlGaN材料的光谱响应范围在日盲紫外波段,但其表面较高的缺陷密度限制了其在日盲紫外探测领域的应用。为此,研究了表面修饰对AlGaN基日盲紫外光电探测器件的性能影响。采用化学自组装方法,将十八硫醇有机分子化学吸附在高Al组分的Al_(0.6)Ga_(0.4)N表面,制备出表面修饰的AlGaN基金属-半导体-金属型日盲紫外光电探测器件。与未经修饰的光电探测器对比验证了这种修饰过程能有效减少AlGaN材料的表面状态引起的不利影响,降低器件的漏电流,并显著提高器件响应度,从而实现具有高响应度的AlGaN基金属-半导体-金属型日盲紫外光电探测器制备。
- 李宇航谷燕陈建薇姚宇飞蒋学成陆乃彦张秀梅杨国锋卞宝安
- 关键词：紫外光电探测器响应度表面修饰ALGAN
- 具有高增益的AlGaN日盲紫外雪崩光电二极管被引量：3
- 2020年
- 本文设计了一种具有低Al组分p型渐变AlxGa1-xN层和高/低Al组分AlGaN倍增层的背入射式p-i-n-i-n吸收倍增区分离的特殊AlGaN日盲紫外雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD),并插入AlN/Al0.64Ga0.36N分布式布拉格反射器来改善APD的日盲响应。为了在实验条件下生长出特殊设计的AlGaN APD,用Atlas-Silvaco仿真软件对该器件结构进行仿真,并用常规结构APD作为参照。研究结果表明,特殊设计的APD比常规的APD表现出更好的光电特性。由于设计的APD拥有更高的空穴碰撞电离系数并同时产生了与外加电场同方向的高极化电场,所以相比于常规的APD,本文设计的APD的雪崩倍增增益为6.11×10^4,提高了10倍,同时雪崩击穿电压显著降低。设计的APD的光电特性良好,为生长AlGaN基APD提供了坚实的理论基础。
- 代志诚谷燕张秀梅陆乃彦杨国锋
- 关键词：光电器件雪崩光电二极管ALGAN
- 适应食品学科需求的《大学物理》及实验的教学分析和探索
- 2020年
- 食品行业的飞快发展对食品本科专业人才的综合素质提出了更高的要求。文章基于目前非物理学专业大学物理教学中存在一些问题,以及食品学科本科大学物理和物理实验的教学现状和不足的分析,借鉴国外先进的教学模式和经验,充分利用江南大学食品学科的优势教育资源,立足食品学科特色,探索适合国内食品学科发展的大学物理教学模式,为食品学科的高素质复合型专业人才培养奠定坚实基础。
- 杨国锋樊田利刘朗唐雪陈晨陆乃彦朱纯
- 关键词：大学物理食品学科教学探索
- InGaN/GaN超晶格垒层用于InGaN发光二极管发光增强研究被引量：1
- 2014年
- 设计了InGaN/GaN超晶格垒层替代p-GaN和n-GaN附近传统GaN垒层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构。通过数值方法模拟出两种LED结构的光功率-电压(L-V)曲线、电致发光(EL)谱、能带图、电子浓度分布和辐射复合速率。结果表明InGaN/GaN超晶格替代n-GaN附近GaN垒层的LED结构比替代p-GaN附近GaN垒层的LED显示出更高的发光强度。这种发光增强的原因是InGaN/GaN超晶格替代n-GaN附近GaN垒层可以提高电子注入效率和辐射复合速率。
- 杨国锋朱华新郭颖李果华高淑梅
- 关键词：INGANGAN发光二极管数值模拟
- 基于研究型半导体光电类课程的教学探索被引量：2
- 2015年
- 半导体光电学科是理论性和实践性较强的新兴专业,针对专业的特点和半导体光电技术的发展需求,本文结合地域和学科的实际情况,提出了学科在课堂理论教学措施改善、协同实验平台建造以及校企合作模式建设的探索性思考。
- 杨国锋朱焯炜张秀梅阙立志高淑梅
- 关键词：半导体光电研究型教学探索
- 基于窄带通放大电路的单向可见光通信系统被引量：2
- 2017年
- 窄带通放大电路可以简化系统,提高信号增益和信噪比(SNR)。本文利用简易元器件构成窄带通放大电路制作了单向可见光通信(VLC)系统。分析发现,数字脉冲间隔调制(DPIM)方式的频谱特性只需要比较窄的通频带便可以实现数据传输。本文设计的单向VLC系统采用LED发出的可见光作为数据载体,雪崩光电二极管(APD)作为光敏器件,结合DPIM调制方式和窄带通放大电路,实现了VLC。实验测试的结果表明:可以在5m直视距离内无聚光装置实现传输速率约为45.8kbit/s的单向数据传输。本文设计的VLC系统稳定性好、成本低,具有较好的应用前景。
- 张卿彭昊王逸飞汪金杨国锋刘诚钱维莹
- 关键词：通信系统
- 图形化蓝宝石衬底结构对GaN基LED发光性能的影响被引量：5
- 2015年
- 为了研究图形化蓝宝石衬底(PSS)的结构和形貌对GaN基发光二极管(LED)光学性能的影响,对PSS的制备工艺和参数进行了调控,从而形成具有不同填充因子的蒙古包形PSS(HPSS)和金字塔形PSS(TPSS)两种衬底,用于生长和制备蓝光LED芯片。通过对TPSS-LED的光学性能测试和分析得到,随着PSS填充因子的增大,LED的光输出功率也增大;进而比较具有相同填充因子的HPSS和TPSS的光学性能表明,HPSS明显优于TPSS。因此,PSS填充因子的增大,能够提高LED的光输出功率;优化PSS的结构可以改善LED中光出射途径,从而更有效提高LED的光发射效率。
- 佟玉莹杨国锋赵建利张卿汪金
- 关键词：填充因子发光二极管(LED)GAN
- 半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱结构在LED制备中的应用
- 2013年
- 利用选择性横向外延生长法可以沿不同的生长方向生长出不同的GaN半极性面,进而可以生长出不同的半极性多量子阱LED结构。这种结构可以实现单芯片LED的多波长发光。结果表明:通过生长模板和生长条件的改变可以控制不同GaN半极性面的形成,从而控制InGaN/GaN多量子阱LED的发光波长从蓝光到绿光甚至是白光可调控。
- 杨国锋李果华高淑梅
- 关键词：INGANLED
