周文勇
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种新型的SOI MOSFET衬底模型提取方法
- 2016年
- 衬底寄生网络建模和参数提取,对RF SOI MOSFET器件输出特性的模拟有着非常重要的影响。考虑BOX层引入的体区和Si衬底隔离,将源、体和衬底短接接地,测试栅、漏二端口S参数的传统测试结构,无法准确区分衬底网络影响。提出一种改进的测试结构,通过把SOI MOSFET的漏和源短接为信号输出端、栅为信号输入端,测试栅、漏/源短接二端口S参数的方法,把衬底寄生在二端口S参数中直接体现出来,并开发出一种解析提取衬底网络模型参数的方法,支持SOI MOSFET衬底网络模型的精确建立。采用该方法对一组不同栅指数目的SOI MOSFET进行建模,测量和模型仿真所得S参数在20 GHz频段范围内得到很好吻合。
- 周文勇刘军汪洁
- 关键词：SOIMOSFET
