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田毅
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
河北工业大学理学院
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发文基金:
河北省自然科学基金
河北省教育厅项目
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相关领域:
理学
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合作作者
张辉
河北工业大学电子信息工程学院
张志东
河北工业大学理学院
郑桂丽
河北工业大学理学院
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田毅
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2016
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对向列相液晶反转壁中+1缺陷处挠曲电效应的理论分析
被引量:3
2016年
基于Pramoda Kumar等人文章中关于向列相液晶反转壁中+1缺陷处挠曲电效应的实验现象,我们利用Landaude Gennes理论给出相应的理论分析。当对弱锚定的平行排列向列相液晶盒施加垂直基板的直流电压,在反转壁中的±1缺陷会发生旋转。对于其中的+1缺陷,我们给出了外加电场作用下液晶分子的自由能表达式并通过模拟描述指向矢的方位角和极角的变化情况给出相应的缺陷处电场驱动的结构变化。模拟结果给出的挠曲电效应引起的方位角的变化角度与Pramoda Kumar等人的实验得到的在+1缺陷处消光刷的变化情况是一致的。
张辉
郑桂丽
田毅
张志东
关键词:
液晶
挠曲电效应
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