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石墨烯在表面活性剂水溶液中的分散稳定性研究被引量：6: 2018年; 石墨烯由于其特殊结构和优异的光学、电学等性能而一直被广泛关注,但石墨烯的惰性表面结构使其在实际应用中受到限制,必须进行表面改性后才能使其更稳定地分布在基体中,充分地发挥其优势。本文探讨了表面活性剂的分散机理和石墨烯分散稳定性的影响因素,对表面活性剂辅助液相剥离法和超声直接分散法实现石墨烯在水溶液中的稳定分散的问题进行了综述。比较了几种常见表面活性剂的分散效果,其中Tween80和P123都是较为出色的表面活性剂;同时总结了提高石墨烯分散稳定性需要注意的几个方面,以期为石墨烯的分散研究提供一些借鉴。与表面活性剂辅助液相剥离法相比,超声直接分散法更有利于得到高浓度、高稳定的石墨烯分散液,连续加入表面活性剂和超声前预处理等措施都有利于提高其分散稳定性。; 赵洪力蔡文豪王丽郁建元王立坤; 关键词：石墨烯表面活性剂

二氧化锡–石墨烯复合薄膜的制备及结构和性能被引量：1: 2019年; 通过酸化和表面活性剂处理改善了石墨烯的分散稳定性,采用喷雾热解法在玻璃基底上制备了掺杂氟的二氧化锡(FTO)薄膜及其与石墨烯的复合(FTO-G)薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜分析了薄膜的结构和微观形貌;采用紫外分光光度计、高精度雾度仪和四点探针方阻仪分析了薄膜的光学和电学性能。结果表明:聚乙烯吡咯烷酮(PVP)具有较好的分散稳定效果,石墨烯的加入对FTO的结构和性能产生了显著的影响,并出现花椰菜特征的表面形貌;当酸化石墨烯浓度为0.3 mg/m L时,FTO-G复合薄膜具有最大的择优取向度、最小的方块电阻为5.0?/sq和最大的雾度值为10.53%,品质因数最高为15.51×10-3?-1,综合性能最好。; 蔡文豪王丽王立坤王贵郁建元赵洪力; 关键词：透明导电薄膜石墨烯

FTO薄膜电子结构和光学性质的PBE0方法研究被引量：1: 2018年; 本文基于密度泛函理论(DFT)PBE0方法对本征SnO_2及SnO_2∶F电子结构及光学性质进行了理论计算,从理论上描述了光学性质与电子结构关系。计算结果表明,PBE0方法计算光学带隙最接近实验数值。在PBE0赝势下,计算了本征SnO_2及SnO_2∶F能带结构、电子态密度。掺杂后,体系局域态密度增加,费米能级穿越导带底部,F掺杂增强SnO_2的导电性。增加F掺杂浓度,体系等离子体频率降低,有利于降低FTO薄膜红外辐射率。F掺杂SnO_2后,介电函数谱发生红移。; 郁建元王立坤牛孝友王丽赵洪力; 关键词：第一性原理电子结构光学性质

FTO薄膜制备技术研究进展被引量：5: 2016年; 本文首先对FTO薄膜的特性和应用进行简明陈述,之后对薄膜的制备方法,包括溶胶-凝胶法、磁控溅射法、化学气相沉积法和喷雾热解法等现有制备技术及研究进展进行了全面的综述,最后对FTO薄膜的制备技术改进及FTO理论设计研究前景进行了展望。; 郁建元王立坤王丽宋玉嘉赵洪力

不同氟源对FTO薄膜结构和性能的影响: 2017年; 采用喷雾热解法制备了氟掺杂的二氧化锡(fluorine-doped tin oxide,FTO)薄膜,氟源分别为NH_4F、SnF_2、CF_3COOH和HF。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对薄膜微观结构和表面形貌进行了表征;用四探针电阻仪、霍尔效应仪和紫外分光光度计对薄膜的光电性能进行了分析。结果表明,不同氟源制备的FTO薄膜均为沿(200)方向择优生长的四方金红石结构,掺杂后薄膜的表面形貌较未掺杂时变化较大,由多角状和棱柱状颗粒相间分布变为完全由类金字塔状颗粒堆积而成。四种氟源中,以SnF_2为氟源制备的FTO薄膜的光电性能优于其它氟源,薄膜的最佳电阻率达5.06×10^(-4)Ωcm,载流子浓度为4.850×10^(20)cm^(-3),光学带隙为4.03 eV。不同氟源对FTO薄膜可见光区透过率影响不大,薄膜的平均透过率均大于83%。不同氟源FTO薄膜的性能差异主要由氟的掺杂量决定的。; 王立坤郁建元杨静凯王丽牛孝友赵洪力; 关键词：二氧化锡薄膜掺杂氟喷雾热解光电性能

掺杂对二氧化锡薄膜光电性能的影响被引量：8: 2018年; 二氧化锡（SnO2）是一种重要的透明导电金属氧化物半导体材料，掺杂可使其光电性能得到显著改善，拓展其应用领域。分析了SnO2薄膜的导电机制、载流子散射机理及近年来国内外学者对不同类型掺杂的SnO2薄膜的研究。掺杂引入的缺陷能级增加了载流子浓度，提高了薄膜的导电性。杂质离子散射和晶界散射是影响薄膜载流子迁移率的主要散射机制。光电性能严重依赖于掺杂元素的种类及掺杂量，多元共掺杂是极具发展潜力的方法。; 王立坤郁建元王丽牛孝友付晨邱茹蒙晏伟静赵洪力; 关键词：二氧化锡薄膜掺杂导电机制散射机理光电性能

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王丽