杨小艳
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：长安大学电子与控制工程学院更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金西安市科技计划项目国家级大学生创新创业训练计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiC SBD基温度传感器灵敏度影响因素的研究被引量：1
- 2018年
- SiC基温度传感器由于可以实现比Si基温度传感器高得多的工作温度而备受重视。从理论和实验两方面研究影响SiC SBD基温度传感器灵敏度的因素。基于热电子发射理论的解析模型表明影响温度传感器灵敏度的因素主要是理想因子。采用Spice仿真不同偏置电流下SiC SBD的V-T关系,结果表明灵敏度随着正向电流的减小而增大并且线性度良好。采用10 mA的恒流源偏置电路测试了三个厂商的SiC SBD的V-T特性,结果发现三种SiC SBD测温上限均高于400℃,并且线性度较好,灵敏度均接近1.5 m V/℃。最后对提高SiC SBD基温度传感器的灵敏度提出了优化设计方案。
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- 关键词：肖特基势垒二极管偏置电路灵敏度
- 一种碳化硅静电感应器件
- 本实用新型公开了一种碳化硅静电感应器件，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型SiC电流增强层，...
- 杨小艳李佳葛明张林
- 文献传递
- 一种碳化硅静电感应晶闸管
- 本实用新型公开了一种碳化硅静电感应晶闸管，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型电流增强层，P型...
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- 文献传递
- SiC SBD与MOSFET温度传感器的特性
- 2017年
- 对SiC肖特基势垒二极管(SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)温度传感器进行了理论分析与测试。基于器件的工作原理,分析了影响传感器灵敏度的因素,SiC SBD温度传感器的灵敏度主要受理想因子的影响,而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度主要受栅氧化层厚度等因素的影响。仿真结果表明,SiC MOSFET温度传感器的灵敏度随偏置电流下降或者栅氧化层厚度增加而上升。实测结果表明,两种传感器的最高工作温度均超过400℃,其中SiC SBD温度传感器在较宽的温度范围实现了更好的线性度,而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度更高。研究结果表明,SiC MOSFET作为高温温度传感器具有灵敏度高和设计灵活度高等方面的显著优势。
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- 关键词：温度传感器
