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李瑞
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1
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供职机构:
四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室
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发文基金:
教育部“新世纪优秀人才支持计划”
国家自然科学基金
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相关领域:
一般工业技术
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合作作者
张丹青
四川大学物理科学与技术学院辐射...
向钢
四川大学物理科学与技术学院辐射...
张析
四川大学物理科学与技术学院辐射...
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四川大学
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张析
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张丹青
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李瑞
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2013
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热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展
2013年
系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理。同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景。
李瑞
张析
张丹青
向钢
关键词:
热蒸发法
SI纳米线
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