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张弘鹏

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 17篇SUB
  • 8篇双栅
  • 8篇半绝缘
  • 6篇电极
  • 6篇介质层
  • 6篇衬底
  • 6篇LT
  • 5篇光电
  • 4篇离子注入
  • 4篇离子注入工艺
  • 4篇晶体管
  • 4篇二极管
  • 3篇电晶体
  • 3篇异质结
  • 3篇集电区
  • 3篇光电晶体管
  • 3篇发射区
  • 3篇GA2O3
  • 2篇带隙
  • 2篇深紫外

机构

  • 20篇西安电子科技...

作者

  • 20篇张弘鹏
  • 18篇元磊
  • 18篇贾仁需
  • 16篇张玉明

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2018
  • 11篇2017
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于Ir<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的深紫外APD探测二极管及其制作方法
本发明涉及一种基于Ir<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>的深紫外APD探测二极管及其制作方法。该方法包括：选取β‑Ga<Sub>2</Sub>O<S...
元磊张弘鹏贾仁需张玉明
文献传递
基于Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/SiC异质结构的光电NPN晶体管及其制备方法
本发明涉及一种基于Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/SiC异质结构的光电NPN晶体管及其制备方法。该方法包括：选取SiC衬底；在所述SiC衬底表面生长同质外延层形成集电区；在所述同质外延层表面生长异...
元磊张弘鹏贾仁需张玉明
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基于双异质结的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN/SiC光电探测二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于双异质结的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN/SiC光电探测二极管及其制备方法。该方法包括：选取SiC衬底；在SiC衬底表面连续生长同质外延层、GaN层及Ga<Sub>2</...
贾仁需张弘鹏元磊张玉明
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基于(In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>的双波段紫外光电器件及其制备方法
本发明涉及一种基于(In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>的双波段紫外光电器件及其制备方法，所述方法包括：选取衬底；在所述衬底上表面生长(In<S...
贾仁需余建刚元磊张弘鹏
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Ga2O3基MIS结构关键工艺及界面特性分析
近年来氧化镓(Ga2O3)作为新兴的宽禁带半导体材料受到广泛关注，适用于制备高功率晶体管和日盲紫外光电探测器。氧化镓具有高禁带宽度(4.8-4.9eV)、高临界击穿电场8MV/cm和四倍于氮化镓(GaN)且十倍于碳化硅(...
张弘鹏
关键词：氧化镓
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基于P型Ga2O3材料的复合型双栅NMOS器件及其制备方法
本发明涉及一种基于P型Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>材料的复合型双栅NMOS器件及其制备方法。该方法包括：选取P型半绝缘衬底，采用分子束外延生长P型β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
元磊张弘鹏贾仁需张玉明
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基于Ga&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;O&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;/SiC异质结构的光电NPN晶体管及其制备方法
本发明涉及一种基于Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/SiC异质结构的光电NPN晶体管及其制备方法。该方法包括：选取SiC衬底；在所述SiC衬底表面生长同质外延层形成集电区；在所述同质外延层表面生长异...
元磊张弘鹏贾仁需张玉明
Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/SiC异质结光电PNP晶体管及其制备方法
本发明涉及一种Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/SiC异质结光电PNP晶体管及其制备方法。该方法包括：选取SiC衬底；分别生长P型SiC同质外延层形成集电区；在P型SiC同质外延层表面生长N型SiC...
元磊张弘鹏贾仁需张玉明
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基于双异质结的Ga&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;O&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;/GaN/SiC光电探测二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于双异质结的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN/SiC光电探测二极管及其制备方法。该方法包括：选取SiC衬底；在SiC衬底表面连续生长同质外延层、GaN层及Ga<Sub>2</...
贾仁需张弘鹏元磊张玉明
基于Ir<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>的深紫外APD探测二极管及其制作方法
本发明涉及一种基于Ir<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>的深紫外APD探测二极管及其制作方法。该方法包括：选取β‑Ga<Sub>2</Sub>O<S...
元磊张弘鹏贾仁需张玉明
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