您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇水蒸气
  • 2篇气相沉积
  • 2篇热板
  • 2篇污染
  • 2篇牺牲层
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇化学污染
  • 2篇技术工艺

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇马晓华
  • 2篇王湛
  • 2篇雷毅敏
  • 2篇谢涌
  • 2篇吴瑞雪
  • 2篇李金金

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法
本发明公开了一种基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法,主要解决先现有技术工艺复杂且易于化学污染的问题。其实现方案是:1)使用化学气相沉积CVD方法在生长基片上生长二维材料薄膜;2)用等离子体激活超薄碳膜Cu网作为目...
马晓华南瑭王湛谢涌李金金吴瑞雪雷毅敏
文献传递
基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法
本发明公开了一种基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法,主要解决先现有技术工艺复杂且易于化学污染的问题。其实现方案是:1)使用化学气相沉积CVD方法在生长基片上生长二维材料薄膜;2)用等离子体激活超薄碳膜Cu网作为目...
马晓华南瑭王湛谢涌李金金吴瑞雪雷毅敏
文献传递
共1页<1>
聚类工具0