曹群
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- SiC热氧化SiO_2的红外光谱研究被引量：2
- 2009年
- SiC热氧化时由于C元素的存在及其诱生的空位型缺陷,影响SiO2层的质量、SiO2/SiC界面及SiC MOS器件的击穿特性。采用红外光谱技术研究了6H-SiC上热氧化生长的SiO2层,分析和讨论了SiO2氧化层及界面态的红外反射特征峰,对偏振入射光与SiO2振动模的相互作用进行了分析。对C元素的红外光谱学表征进行了初步研究,从而为工艺中对SiO2层中C元素的实时检测和进一步改善SiC MOS器件电学特性的研究打下基础。
- 田晓丽龚敏曹群石瑞英
- 关键词：6H-SIC界面态
- 6H-SiC热氧化层高温漏电及红外光谱表征研究被引量：2
- 2010年
- 对6H-SiC衬底上热氧化生长的SiO2层进行了不同温度退火后的高温漏电流研究。根据SiO2层红外反射特征光谱的变化,研究了SiO2结构变化对高温I-V特性影响的机理。研究认为,可以通过低温高温两步退火工艺改善6H-SiC衬底上热氧化生长SiO2层的质量。
- 曹群牟维兵杨翰飞杨治美龚敏
- 关键词：SIC
- 总剂量辐照SiO_2/6H-SiC引起的界面势垒变化
- 2011年
- 辐照会引起MOS器件电介质氧化物与半导体界面势垒变化,影响其工作性能和可靠性。测量了n型6H-SiC MOS电容辐照105rad(Si)剂量前后的I-V曲线,通过Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流拟合,得到了界面势垒的大小,辐照前的为2.596 eV,辐照后降为1.492eV。界面势垒变化主要是由辐照产生的界面态引起的。
- 牟维兵龚敏曹群
- 关键词：总剂量辐照6H-SIC
- 6H-SiC氧化层中Na离子的C-V测试研究被引量：2
- 2010年
- 半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS电容。采用高电压偏置,在高温度条件下作用于MOS电容;利用Keithley590C-V分析仪,测量其C-V曲线。计算出氧化层Na离子密度为2.26×1012/cm2,高温负高压偏置不能完全恢复MOS电容的C-V特性,且高压偏置处理后的MOS电容在积累区的电容值减小,与Si材料MOS的情况不同。主要原因是SiC氧化层和界面质量较差,在高温和高压下弱键断裂、固定电荷重新分布。
- 牟维兵龚敏曹群
- 关键词：6H-SICMOS电容C-V测试
