您的位置: 专家智库 > >

张春梅

作品数:4 被引量:10H指数:2
供职机构:怀化学院化学与化学工程系更多>>
发文基金:湖南省教育厅科研基金更多>>
相关领域:理学轻工技术与工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 2篇石墨
  • 2篇痕量
  • 1篇电极
  • 1篇修饰
  • 1篇修饰玻碳电极
  • 1篇阳极溶出
  • 1篇阳极溶出伏安...
  • 1篇氧化物
  • 1篇原子
  • 1篇原子吸收
  • 1篇原子吸收光谱
  • 1篇原子吸收光谱...
  • 1篇原子吸收光谱...
  • 1篇正电子
  • 1篇正电子寿命
  • 1篇正电子寿命谱
  • 1篇溶出伏安法
  • 1篇生物传感
  • 1篇生物传感器
  • 1篇石墨炉

机构

  • 4篇怀化学院

作者

  • 4篇张春梅
  • 3篇杨欣
  • 2篇吴峰
  • 1篇杨兴华
  • 1篇刘瞻
  • 1篇肖志杰
  • 1篇李万伟
  • 1篇李柏元
  • 1篇王小宽

传媒

  • 2篇理化检验(化...
  • 1篇食品工业科技
  • 1篇怀化学院学报

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
石墨烯-Nafion/纳米金复合物修饰玻碳电极阳极溶出伏安法测定大米中痕量锌被引量:4
2013年
制备了石墨烯(GP)-Nafion/纳米金(Au)复合膜修饰玻碳电极(GCE),并将其用于阳极溶出伏安测定大米中痕量锌。采用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、电化学交流阻抗谱(EIS)对修饰电极的结构和性能进行了表征。在pH4.5的乙酸盐缓冲溶液中,-1.5V(VS.SCE)富集150s,以100mV·s-1 扫描速率从-1.3V扫描至-0.6V。锌在修饰电极上于-1.0V处产生-灵敏的阳极溶出伏安峰,峰电流与锌的质量浓度在5.0×10^-4~0.15mg·L^-1 范围内呈线性关系,检出限(3σ)为2.8×10^-4mg·L-1。方法用于测定大米样品中痕量锌的含量,并以此样品为基体做回收试验,测得回收率在98.0%~106%之间。方法的测定结果与石墨炉原子吸收光谱法测定值-致。
张春梅吴峰李柏元杨欣
关键词:石墨烯阳极溶出伏安法大米
复合纳米微粒修饰丝网印刷电极的一次性过氧化氢生物传感器研究被引量:2
2012年
构建纳米金(Au)-石墨烯(GS)-辣根过氧化物酶(HRP)-Nafion纳米复合物修饰丝网印刷电极(SPCEs)的一次性过氧化氢生物传感器,并用于过氧化氢的测定。采用化学镀金方法于SPCEs表面形成Au,然后将GS、HRP和Nafion组成的复合物涂覆于SPCEs/Au表面,构建SPCEs/Au/GS/HRP/Nafion电极,采用扫描电镜(SEM)表征化学镀金、GS和电极的制备过程,采用循环伏安(CV)法和计时电流(i-t)法研究H2O2的电化学性质。在优化的实验条件下,该电极能实现HRP的直接电子传递,对H2O2有显著的电催化作用,在2.0×10-5~2.5×10-3mol/L浓度范围内对H2O2有良好的线性响应,线性相关系数为0.9994,检测限为1.2×10-5mol/L。该传感器灵敏快速、制备容易、样品用量少、可抛弃、抗干扰性强,有望用于食品中痕量HO残留的检测。
张春梅杨欣吴峰肖志杰
关键词:纳米金辣根过氧化物酶NAFION过氧化氢
微波消解-浊点萃取-石墨炉原子吸收光谱法测定铜尾矿中痕量铜被引量:4
2013年
铜尾矿在微波消解仪中经盐酸-硝酸(3+1)溶液和过氧化氢消解。从所得消解液中分取部分试液,加入1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚(PAN)溶液、Triton X-100溶液、pH6.0的氢氧化钠-磷酸二氢钾缓冲溶液及饱和氯化钠溶液,加水定容至15mL,于70℃加热30min,使铜(Ⅱ)与PAN络合并溶入Triton X-100相中,实现铜(Ⅱ)的浊点萃取分离。弃去水相,于Triton X-100相中,加入水及3滴盐酸,用石墨炉原子吸收光谱法测定其中的铜量。铜的质量浓度在0.5~20μg·L^-1范围内与吸光度呈线性关系,检出限(3a)为0.36μg·L^-1。应用本方法分析了铜尾矿样品,并用标准加入法做回收试验,测得回收率在101%~105%之间,测定值的相对标准偏差(n=6)在3.00o~3.8%之间。
张春梅王小宽杨兴华杨欣
关键词:铜尾矿微波消解浊点萃取石墨炉原子吸收光谱法
光催化剂Bi_2O_3-V_2O_5的催化活性及其正电子寿命谱研究
2008年
以2、4——二氯苯酚光催化降解为探针反应,比较了Bi2O3和Bi2O3—V2O5的光催化降解活性,并对其进行正电子湮没研究发现:Bi2O3—V2O5有较多的表面缺陷数目,缺陷位电子密度大,催化活性好;对不同焙烧温度下Bi2O3—V2O5的催化活性和正电子湮没进行研究分析,结果表明,在850℃下焙烧Bi2O3—V2O5的表面缺陷数目多,光催化活性好.
李万伟刘瞻张春梅
关键词:正电子寿命谱光催化活性
共1页<1>
聚类工具0