孔欣
- 作品数：16 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团第二十九研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 不同厚度GaAs通孔技术研究
- 2021年
- 研究了不同厚度GaAs的通孔工艺,在以GaAs为衬底的加工工艺中,通孔工艺是GaAs的重要工艺,直接影响着器件的性能。阐述了目前GaAs厚度为100μm的工艺情况,分析了GaAs厚度为150μm时的深孔刻蚀。通过对刻蚀工艺中不同压强和不同偏置功率的研究,掌握GaAs深度为200μm的深孔刻蚀工艺。根据研究200μm深孔刻蚀工艺的经验,开发深度为250μm的深孔刻蚀工艺。
- 闫未霞彭挺郭盼盼强欢莫中友孔欣
- 关键词：砷化镓厚度
- 一种宽带大功率测试夹具
- 本发明公开了一种宽带大功率测试夹具，包括固定在结构件上的电路片，微波同轴接头通过绝缘子焊接在电路片上形成微波信号通路，在电路片上制作有阻抗变换线、直流偏置线和接地线；直流供电基座通过导线焊接在电路片上；在夹具输入输出端设...
- 来晋明孔欣季兴桥罗嘉
- 文献传递
- 一种HEMT器件可缩放的非线性紧凑模型
- 2019年
- 提供了一种应用于高电子迁移率晶体管(HEMT)的非线性紧凑模型。该模型针对传统的EE-HEMT模型理想缩放规律不准确的问题,提出采用一元函数拟合、二元曲面拟合方法,对其尺寸缩放和温度缩放规律进行修正。修正后的非线性模型可以准确地模拟HEMT器件的直流I-U、S参数和大信号特性。并将该模型应用于一款0.25μm栅长的GaAs pHEMT工艺,对比不同尺寸的器件在高低温条件下模型仿真结果和实测结果,两者吻合良好,验证了该模型的准确性。
- 陈勇波刘文汪昌思孔欣赵佐
- 关键词：高电子迁移率晶体管非线性模型
- 集成侧墙技术的80nm栅GaN HEMT
- 2024年
- 目前业界主要采用电子束曝光技术制作高频氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的深亚微米T型栅,存在效率低下、良率不足和成本较高的问题。本文采用集成侧墙技术,在6英寸工业化产线上首次成功制造了纯光学曝光的80 nm T型栅GaN HEMT,并对器件性能参数进行了全面表征和分析。器件单位栅宽(每毫米)下,最大输出电流Id,max为993 mA,峰值跨导Gm,peak为385 mS;阈值电压Uth为-3.25 V,关态击穿电压超过80 V;电流增益截止频率(fT)和功率增益截止频率(fmax)分别为64 GHz和175 GHz。在28 V工作时,器件在16 GHz下的饱和输出功率、功率增益和功率附加效率分别为26.95 dBm(每毫米4.9 W)、11.08 dB和49.78%;在30 GHz下器件的饱和输出功率、功率增益和功率附加效率分别为26.15 dBm(每毫米4.1 W)、8.8 dB和44%。结果表明,集成侧墙技术在深亚微米GaN HEMT制造中具备较好的应用前景。
- 孔欣
- 关键词：侧墙短沟道效应深亚微米
- 一种毫米波固态功率放大器的封装结构及方法
- 本发明涉及封装技术领域，具体公开了一种毫米波固态功率放大器的封装结构及方法，封装结构包括设置有热沉区域且采用铝合金制备的封装主体结构、设置在封装主体结构上与封装主体结构一体成型且与封装主体结构之间不形成间隙的热沉；所述热...
- 崔西会方杰黎康杰李文彭颐豫许冰张坤孔欣张人天胡助明何东王强敬小东
- 一种先通孔氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法
- 本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种先通孔氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法，包括以下步骤：晶圆正面制作刻蚀阻挡层并实现图形化，然后从上往下依次刻蚀得到深孔，然后去除残留，进行金属化填孔。由于尚未制作源、漏、栅等影响...
- 孔欣廖承举汪昌思许冰卢茜张剑曾策方杰徐榕青向伟玮李慧董东陈春梅陈忠睿
- 一种先通孔氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法
- 本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种先通孔氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法，包括以下步骤：晶圆正面制作刻蚀阻挡层并实现图形化，然后从上往下依次刻蚀得到深孔，然后去除残留，进行金属化填孔。由于尚未制作源、漏、栅等影响...
- 孔欣廖承举汪昌思许冰卢茜张剑曾策方杰徐榕青向伟玮李慧董东陈春梅陈忠睿
- GaN HEMT栅工艺优化及性能提升
- 2020年
- 针对0.5μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)自对准T型栅工艺,提出一种优化的解决方案。在感应耦合等离子体设备中引入两段法完成氮化硅栅足的干法刻蚀,其中,主刻蚀部分形成具备一定倾斜角度的氮化硅斜面,从而减小栅下沟道电场强度并提高栅金属对氮化硅槽填充的完整性;软着陆部分则以极低的偏置功率对氮化硅进行过刻蚀,确保完全清除氮化硅的同时尽量减小沟道损伤。通过器件优化前后各项特性的测试结果对比发现:优化后的器件关态击穿电压从140 V提升至200 V以上,3.5 GHz下输出功率密度从5.8 W/mm提升至8.7 W/mm,功率附加效率(PAE)从55.5%提升至66.7%。无偏置高加速应力试验96 h后,工艺优化后的器件外观无明显变化,最大电流变化<5%,表明器件可靠性良好。
- 孔欣陈勇波董若岩刘安汪昌思
- 关键词：可靠性
- 一种微波件减重密封外壳封装结构及制造方法
- 本发明公开了一种微波件减重密封外壳封装结构及制造方法，涉及微波件封装外壳结构设计和制造领域，其中封装结构包括：封装结构主体、过渡区域、密封区域；所述封装结构主体采用镁合金制成；所述过渡区域位于封装结构主体与密封区域之间，...
- 崔西会方杰黎康杰李文彭颐豫许冰张坤贾斌孔欣韩小亮何东王强罗文锴
- 一种宽带大功率测试夹具
- 本发明公开了一种宽带大功率测试夹具，包括固定在结构件上的电路片，微波同轴接头通过绝缘子焊接在电路片上形成微波信号通路，在电路片上制作有阻抗变换线、直流偏置线和接地线；直流供电基座通过导线焊接在电路片上；在夹具输入输出端设...
- 来晋明孔欣季兴桥罗嘉
