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陈礼

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：上海交通大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：上海市基础研究重大（重点）项目更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇扫描隧道显微...
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇化物
  • 1篇硅化物
  • 1篇棒状
  • 1篇SI(100...
  • 1篇STM

机构

  • 1篇上海交通大学

作者

  • 1篇赵明海
  • 1篇邹志强
  • 1篇孙静静
  • 1篇陈礼

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
锰及其硅化物在Si(100)表面的反应外延生长
2009年
采用超高真空分子束外延-扫描隧道显微镜(UHVMBE-STM)系统研究了不同温度下锰及其硅化物在Si(100)-2×1重构表面上的外延生长情况。实验结果表明当生长过程中衬底温度控制在室温到135℃时,生成大小基本一致的锰纳米团簇;当衬底温度达到210℃时锰与硅开始发生反应,形成硅化物,并有纳米线结构出现;当衬底温度达到330℃时,纳米线完全被棒状物或不规则的三维岛状硅化物取代。随着沉积时衬底温度升高,生成物的成核密度与生长温度的关系与经典的二维岛成核理论相符合。
孙静静邹志强王丹赵明海陈礼
关键词：纳米线
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共1页<1>
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