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艾凡凡
作品数:
1
被引量:7
H指数:1
供职机构:
江南大学理学院
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张光春
江南大学理学院
顾晓峰
江南大学信息工程学院
李果华
江南大学理学院
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艾凡凡
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张光春
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人工晶体学报
年份
1篇
2009
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氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池
被引量:7
2009年
本文采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片表面镀一层约80nm厚的氮化硅掩膜,然后使用传统的丝网印刷工艺将含有一定量磷酸的腐蚀浆料印刷在氮化硅掩膜表面,腐蚀出电极图形,经过三氯氧磷液态源扩散完成重扩,去除氮化硅掩膜后进行浅扩最终实现选择性发射极。丝网印刷腐蚀浆料开窗相对于激光熔融、等离子刻蚀和光刻等方法,具有高的产量、设备投资和运营成本低等优势,容易在现有生产线上实现。最后对比了选择性发射极晶体硅太阳电池和常规太阳电池的电性能和光谱响应,制备的选择性发射极晶体硅太阳电池的短波响应优于常规晶体硅太阳电池,效率提高了0.3%。
艾凡凡
张光春
顾晓峰
李果华
汪义川
杨健
陈如龙
贾积凯
张杰
黄治国
关键词:
晶体硅太阳电池
选择性发射极
PECVD
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