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王禄荣

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：南京工业大学材料科学与工程学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇自补偿
  • 1篇共掺
  • 1篇共掺杂
  • 1篇P型
  • 1篇P型ZNO
  • 1篇P型掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 1篇南京工业大学

作者

  • 1篇陈长春
  • 1篇刘萍
  • 1篇王禄荣

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
p型ZnO薄膜制备的研究进展被引量：3
2008年
ZnO是一种性能优异的"低温蓝光工程"宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实现n型向p型导电的转变。为此,阐述了ZnO薄膜的p型掺杂机理,介绍了国内外研究者在抑制自补偿、提高受主掺杂元素固溶度及寻求合适的受主掺杂元素等方面p型ZnO薄膜的最新研究进展。研究表明:增加ZnO材料中N原子固溶度的各种办法如施主-受主共掺杂、超声雾化气相淀积及本征ZnO薄膜在NH3气氛下后退火等和选择IB族中的Ag为受主掺杂元素是实现ZnO薄膜p型导电的有效措施。期望通过本综述能为国内ZnO基器件应用的p型ZnO薄膜的制备提供新思路。
陈长春刘萍王禄荣
关键词：ZNO薄膜P型掺杂自补偿共掺杂
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