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徐玉兰

作品数：28 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 15篇激光
  • 14篇激光器
  • 9篇半导体
  • 9篇半导体激光
  • 9篇半导体激光器
  • 9篇波导
  • 8篇调制
  • 8篇波长
  • 7篇天线
  • 7篇脊波导
  • 6篇锁模
  • 6篇稳频
  • 6篇鉴频
  • 5篇亚波长
  • 5篇增益
  • 5篇脉冲
  • 5篇隔离区
  • 5篇光吸收
  • 5篇光吸收特性
  • 5篇超短

机构

  • 28篇中国科学院福...
  • 6篇中国科学院大...

作者

  • 28篇徐玉兰
  • 25篇苏辉
  • 25篇林中晞
  • 25篇林琦
  • 20篇陈景源
  • 8篇薛正群
  • 8篇王凌华
  • 6篇朱振国
  • 2篇周东豪
  • 2篇陈阳华
  • 2篇訾慧
  • 2篇林乐

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报

年份

  • 5篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 11篇2018
  • 10篇2017
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种太赫兹光电导相控阵天线系统
本发明涉及一种太赫兹光电导相控阵天线系统，包括激光源、光纤耦合器、光延时控制器和太赫兹光电导阵列天线；其中，所述光纤耦合器将激光源产生的泵浦光耦合到光纤中；所述光延时控制器控制光纤耦合器输出的泵浦光的延时时间，产生N束具...
陈景源林中晞徐玉兰林琦苏辉
一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器
本实用新型涉及一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器，该锁模半导体激光器采用条形波导结构、脊波导结构或楔形波导结构，在所述波导结构上形成增益区、电隔离区和饱和吸收区，所述电隔离区位于增益区和饱和吸收区之间，所述吸收区的一...
徐玉兰林琦林中晞王凌华苏辉
文献传递
一种激光二极管与背光探测器集成的制备方法及集成芯片
本公开涉及一种二极管激光器与背光探测器集成的方法，该方法包括：形成脊的步骤，形成隔离区的步骤，SiN填充隔离区的步骤，蒸发P、N型电极的步骤，合金的步骤，镀膜的步骤。本公开还涉及上述制备方法制得二极管激光器与背光探测器(...
丘文夫林琦林中晞王凌华徐玉兰陈景源苏辉
一种波长可调谐的半导体激光器
本发明涉及一种波长可调谐的半导体激光器，包括：有源层、波导层和分离限制层；其中，波导层位于有源层和分离限制层之间；波导层包括脊波导和微腔，微腔位于脊波导的一侧。本发明提供的波长可调谐的半导体激光器，利用电调制脊波导的饱和...
林中晞林琦徐玉兰陈景源钟杏丽朱振国薛正群苏辉
一种基于马赫-增德尔干涉仪的无调制稳频装置
本实用新型涉及一种基于马赫‑增德尔干涉仪的无调制稳频装置，其中，半导体激光器根据激光器驱动电路提供的驱动电流或电压产生一束激光，并发出所述产生的激光；马赫‑增德尔干涉仪装置对半导体激光器发出的激光进行处理，输出两束在空间...
徐玉兰林中晞林琦陈景源苏辉
文献传递
一种波长可调谐的半导体激光器
本发明涉及一种波长可调谐的半导体激光器，包括：有源层、波导层和分离限制层；其中，波导层位于有源层和分离限制层之间；波导层包括脊波导和微腔，微腔位于脊波导的一侧。本发明提供的波长可调谐的半导体激光器，利用电调制脊波导的饱和...
林中晞林琦徐玉兰陈景源钟杏丽朱振国薛正群苏辉
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一种含侧边吸收区的超辐射发光管
本发明涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管，包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区，在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区，侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本发明利用侧边吸收区所具有的光...
周东豪林琦林中晞苏辉薛正群陈阳华王凌华訾慧徐玉兰陈景源林乐
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一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器
本发明涉及一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器，该锁模半导体激光器采用条形波导结构、脊波导结构或楔形波导结构，在所述波导结构上形成增益区、电隔离区和饱和吸收区，所述电隔离区位于增益区和饱和吸收区之间，所述吸收区的一部分...
徐玉兰林琦林中晞王凌华苏辉
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一种激光二极管与背光探测器集成芯片
本公开涉及一种激光二极管与背光探测器集成芯片。所述芯片包括：一次外延样品；所述一次外延样品包括：n‑InP衬底(1)上依次生长n‑InP缓冲层(2)，InGaAlAs下分别限制层(3)，有源层(4)，InGaAlAs上分...
丘文夫林琦林中晞王凌华徐玉兰陈景源苏辉
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InGaAsP多量子阱双稳态激光器的实验及理论研究
2018年
从实验和理论上研究了InGaAsP多量子阱(Multi-Quantum-Well,MQW)双区共腔(Common Cavity Tandem Section, CCTS)结构半导体激光器的吸收区偏置状态对双稳态特性的影响。实验结果表明:随着可饱和吸收区上的负偏置电压的增大,激光器P-I曲线中双稳态特性更加明显,V-I曲线有负微分电阻,当偏压加至-3 V时,回滞曲线环宽度增加至13.5 mA,开关比达到21:1。理论分析表明,利用吸收区的高负偏置态和短载流子逃逸时间能获得更好的双稳态特性。最大107:1的开关比也说明双区共腔激光器能在两稳态之间实现非常明确的转换。
徐玉兰林中晞林中晞陈景源王凌华林琦
关键词：双稳态半导体激光器开关比
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