您的位置: 专家智库 > >

彭飞

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:上海电子信息职业技术学院电子工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目更多>>
相关领域:核科学技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 1篇等离激元
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电子结构
  • 1篇电子学
  • 1篇形成能
  • 1篇中红外
  • 1篇子结构
  • 1篇空位
  • 1篇价键
  • 1篇共价
  • 1篇共价键
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子学
  • 1篇光耦合
  • 1篇红外
  • 1篇
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇表面等离激元

机构

  • 2篇上海电子信息...

作者

  • 2篇彭飞

传媒

  • 1篇量子电子学报
  • 1篇西北师范大学...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
二维金光栅增强AlGaN/GaN量子阱中红外探测器的垂直光耦合
2017年
利用对入射光源偏振性不敏感的二维金光栅结构来增强AlGaN/GaN量子阱中红外光电探测器的垂直光耦合。采用有限元法(FEM)计算了探测器结构中的电场分布和能量流动,发现采用二维金光栅时量子阱区有效电场强度比采用Si_3N_4光栅时高出2个数量级,这主要源于金光栅与AlGaN界面处激发形成的表面等离激元(SPP),对光能流动方向、光场振动方向产生了强烈的改变。无论光源的偏振性如何,当垂直入射电磁波波长为4.7μm,电场强度E为1 V/m时,量子阱区的有效|E_z|~2达到了0.7(V/m)~2,为实现AlGaN/GaN量子阱中红外光电探测器焦平面阵列提出了一种解决方案。
彭飞
关键词:光电子学表面等离激元
Cr_2AlC中空位相关属性及电子结构的第一性原理研究
2016年
通过第一性原理研究了Cr_2AlC中空位对其结构和电子性质的影响.在Cr_2AlC中,Cr,Al和C空位形成能分别为1.15eV(Cr-poor)、-1.93eV(Cr-rich),2.02eV(Al-poor)、-4.38eV(Al-rich)和1.14eV(C-rich)、-3.05eV(C-poor).计算结果表明,Al空位的形成能相对较大,这意味着在Cr_2AlC中,Al空位最不容易形成;在一定温度下,Cr_2AlC中Al空位的浓度较低;通过态密度的研究发现,在Cr_2AlC中,Cr-C共价键和Cr-Al金属键共存;当形成Al空位时,Cr_2AlC的导电性明显降低.
彭飞
关键词:第一性原理空位形成能共价键
共1页<1>
聚类工具0