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吴元伟

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体损伤
  • 1篇低K介质
  • 1篇低K介质材料
  • 1篇多孔
  • 1篇空气隙

机构

  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇韩传余
  • 1篇王守国
  • 1篇赵玲利
  • 1篇吴元伟

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
超低k介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展被引量：1
2011年
介绍了三类常见的低k介质材料,并对空气隙(k=1)的发展进行了探讨;讨论了引起等离子体损伤的机理和传统的O2等离子体去胶工艺面临的困难;最后综述了近年来国际上提出的低损伤等离子体去胶工艺的研究进展。人们已经开发出一些对低k材料进行硅化处理的工艺,可以部分修复在刻蚀和去胶处理过程中被消耗掉的有机官能团。基于金属硬掩膜层和新型等离子体化学的集成方案将会展示出颇具前景的结果。
吴元伟韩传余赵玲利王守国
关键词：空气隙等离子体损伤
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共1页<1>
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