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冯素华

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：泰安师范附属学校更多>>
发文基金：山东省教育厅科技计划项目更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇射线衍射
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇居里
  • 1篇居里温度
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇半导体
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇GAMNAS

机构

  • 1篇齐鲁师范学院
  • 1篇泰安师范附属...

作者

  • 1篇姬长建
  • 1篇张成强
  • 1篇王文静
  • 1篇冯素华

传媒

  • 1篇山东教育学院...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
稀磁半导体GaMnAs的物理性质研究被引量：2
2010年
利用低温分子束外延技术制备高质量的GaMnAs薄膜,通过XRD对样品进行分析,从实验和理论上分析生长条件、退火条件对薄膜缺陷及薄膜性能的影响.尤其是分析系统的研究间隙位Mn原子与As反位原子缺陷的变化,从而深入理解掺杂原子的周围结构与磁性之间的关系,为下一步制备自旋器件提供高载流子浓度、高居里温度的(Ga,Mn)As材料提供了可能性.
姬长建张成强冯素华王文静
关键词：分子束外延X射线衍射居里温度
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共1页<1>
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