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侯竟伟

作品数:1 被引量:1H指数:1
供职机构:沈阳建筑大学交通与机械工程学院更多>>
发文基金:辽宁省教育科学规划课题国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅陶瓷
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔氮化硅
  • 1篇多孔氮化硅陶...
  • 1篇陶瓷
  • 1篇气孔率
  • 1篇微观结构

机构

  • 1篇东北大学
  • 1篇沈阳建筑大学
  • 1篇山东工业陶瓷...

作者

  • 1篇张训虎
  • 1篇李伶
  • 1篇张晓霞
  • 1篇张伟儒
  • 1篇山玉波
  • 1篇侯竟伟

传媒

  • 1篇沈阳建筑大学...

年份

  • 1篇2006
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
不同制备工艺对多孔氮化硅陶瓷微观结构的影响被引量:1
2006年
目的制备高气孔率、高强度的氮化硅陶瓷,分析复合助剂A、Al2O3、碳粉、烧结温度等因素对高气孔率、高强度的氮化硅陶瓷材料微观结构的影响.方法采用部分烧结工艺和添加造孔剂工艺制备实验材料.利用阿基米德法、三点弯曲法测试了材料的密度、显气孔率及弯曲强度;借助扫描电子显微镜(SEM)进行微观结构分析.结果成功制备出结构比较均匀并且有高气孔率和较高强度的氮化硅陶瓷,当气孔率高达51.14%时,强度仍具有172 MPa.结论均匀气孔获得主要是由长柱状β-Si3N4晶粒在三维空间搭接构成的,烧结温度提高有助于长柱状β-Si3N4的转变与发育;柱状晶强度高、缺陷少是获得高强度的主要原因.在一定范围内,碳粉含量增加有助于气孔率的提高.
张晓霞山玉波张伟儒李伶侯竟伟张训虎
关键词:氮化硅微观结构气孔率
共1页<1>
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