您的位置： 专家智库 > >

何辉

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氧化锌
  • 1篇阵列
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米杆
  • 1篇缓冲层

机构

  • 1篇武汉大学

作者

  • 1篇王多发
  • 1篇卢红兵
  • 1篇廖蕾
  • 1篇李金钗
  • 1篇何辉

传媒

  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
ZnO缓冲层上定向ZnO纳米杆阵列的制备被引量：1
2006年
利用Zn膜热氧化获得的非晶ZnO薄膜作为缓冲层，再采用Zn粉热蒸发工艺合成出定向、致密且直径较细（≈40nm）的单晶ZnO纳米杆阵列，其阵列密度约为2．3×10^7mm^-2．比较了在厚度不同的Zn膜所形成的ZnO缓冲层上生长的ZnO纳米杆形态，讨论了ZnO缓冲层表面形貌对ZnO纳米杆生长形态的影响．结果表明，随Zn膜厚度的增加，ZnO缓冲层从岛状大颗粒（0．5～1μm）并伴有密集小颗粒（〈20nm）状态变为连续薄膜，所得ZnO纳米杆从沿大颗粒表面无规则发散生长并伴小颗粒上的准定向生长转变成垂直于衬底的大面积定向生长，且纳米杆阵列也随着Zn膜厚度增加而变得定向、致密、和分布均匀．
何辉李金钗廖蕾卢红兵王多发
关键词：氧化锌缓冲层纳米杆
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0