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韩买兴

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇外延片
  • 1篇刻蚀
  • 1篇GA
  • 1篇ITO膜
  • 1篇LED芯片
  • 1篇侧蚀

机构

  • 1篇扬州大学
  • 1篇扬州华夏集成...

作者

  • 1篇曾祥华
  • 1篇林岳明
  • 1篇韩买兴

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaN-LED芯片上ITO膜侧蚀异常的改善
2009年
氧化铟锡(ITO)对可见光具有高透过率及高电导率,常当作透明电极被广泛应用于发光元件上。使用合金的热处理方式,探讨了ITO经热处理后对刻蚀的影响。用电子束蒸镀机在GaN外延片上蒸镀一层ITO膜,用wIn2O3∶wSnO2=0.95∶0.05的ITO锭做靶材,然后把每个外延片切成两半,其中一半在氮气氛中合金,另一半不做合金,然后所有的半圆片去做光刻,最后刻蚀ITO,去胶测量图中圆形(电极直径)的尺寸并比较侧蚀量的大小,发现合金后刻蚀ITO比不合金直接刻蚀ITO要好。
林岳明韩买兴曾祥华
关键词：刻蚀外延片
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