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陈洪敏

作品数:18 被引量:0H指数:0
供职机构:三明学院更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 18篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 11篇探测器
  • 8篇光电
  • 8篇光电探测
  • 8篇光电探测器
  • 4篇带宽
  • 4篇电极
  • 4篇电容
  • 4篇电容式
  • 4篇响应度
  • 4篇硅基
  • 4篇波导
  • 3篇调制
  • 3篇全硅
  • 3篇暗电流
  • 2篇导通
  • 2篇电光
  • 2篇电光调制
  • 2篇电光调制器
  • 2篇调制器
  • 2篇氧化层

机构

  • 18篇三明学院

作者

  • 18篇陈洪敏
  • 10篇崔文静
  • 7篇邱锦明
  • 7篇刘持标

年份

  • 4篇2022
  • 5篇2021
  • 4篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2016
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种增强湿法刻蚀各向异性的方法及系统
本发明公开了一种增强湿法刻蚀各向异性的方法及系统。其中,所述方法包括:在含有刻蚀材料的刻蚀溶液存在的空间位置施加外部电场,进而根据该施加的外部电场,把该刻蚀溶液中的具有腐蚀性阴离子和/或阳离子通过该施加的外部电场的电场驱...
崔积适刘持标邱锦明陈洪敏
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基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备
本发明公开了一种基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备。其中,所述硅基锗光电探测器包括光波导层、硅氧化层、锗氧化层、第一电极、第二电极、第三电极,该第一电极与该第二电极之间形成的电场用于对第一耦合区域的其中一束光...
崔积适刘持标邱锦明陈洪敏
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一种电容式光电探测器
一种电容式光电探测器,涉及光电探测器领域。包括:第一电极板、第二电极板和光吸收部。光吸收部设于第一电极板和第二电极板之间,第一电极板和第二电极板二者同光吸收部之间均具有间隙。光吸收部包括至少两组光电效应单元,光电效应单元...
崔积适王娟崔文静陈洪敏
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一种探测器及制作工艺
本发明提供了一种探测器及制作工艺,探测器包括:波导层;所述波导层包括相互隔断的第一本征区和第二本征区、与所述第一本征区相连的N型区、与所述第二本征区相连的P型区;电极;包括阳极和阴极;所述阳极设置在所述P型区上,所述阴极...
崔积适王娟崔文静陈洪敏
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一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器及其制备方法
本发明提供一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器,包括:衬底层,所述衬底层是SOI;硅光波导层,形成于所述衬底层上;光栅层,形成与所述衬底层上,并与所述硅光波导层耦合连接;其中,所述光栅层包括本征区以及位于所述本征区两侧的...
崔积适王娟崔文静陈洪敏
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硅基电光调制器的调制臂长度设置方法及设备
本发明公开了一种基于硅基电光调制器的调制臂长度设置方法及设备。其中,所述方法包括:硅基电光调制器设置P型掺杂区的调制臂的调制臂长度和N型掺杂区的调制臂的调制臂长度不相等,进而在设置P型掺杂区的调制臂的调制臂长度和N型掺杂...
崔积适刘持标邱锦明陈洪敏
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一种新型侧向pn结光电探测器
一种新型侧向pn结光电探测器,涉及光电探测器领域。新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1:2.7900~2.8400。其结构简单,能够有效改善运行过程中的响应度,提高运行带宽,而且还能...
崔积适王娟崔文静陈洪敏
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硅基电光调制器的调制臂长度设置方法及设备
本发明公开了一种基于硅基电光调制器的调制臂长度设置方法及设备。其中,所述方法包括:硅基电光调制器设置P型掺杂区的调制臂的调制臂长度和N型掺杂区的调制臂的调制臂长度不相等,进而在设置P型掺杂区的调制臂的调制臂长度和N型掺杂...
崔积适刘持标邱锦明陈洪敏
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一种新型侧向pn结光电探测器
一种新型侧向pn结光电探测器,涉及光电探测器领域。新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1:2.7900~2.8400。其结构简单,能够有效改善运行过程中的响应度,提高运行带宽,而且还能...
崔积适王娟崔文静陈洪敏
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基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备
本发明公开了一种基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备。其中,所述硅基锗光电探测器包括光波导层、硅氧化层、锗氧化层、第一电极、第二电极、第三电极,该第一电极与该第二电极之间形成的电场用于对第一耦合区域的其中一束光...
崔积适刘持标邱锦明陈洪敏
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共2页<12>
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