您的位置： 专家智库 > >

赵兴亮

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：天津理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇溅射
  • 1篇SIC薄膜
  • 1篇CO掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇天津理工大学

作者

  • 1篇刘技文
  • 1篇安玉凯
  • 1篇赵兴亮

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
Co掺杂SiC薄膜的紫外光敏特性被引量：2
2010年
采用射频磁控溅射技术和复合靶材的方法,在p型单晶Si衬底上制备SiC薄膜及Co掺杂SiC薄膜。在真空度为1.0×10-4Pa、温度为1 200℃条件下,保温1 h进行晶化处理。通过X射线衍射(XRD)、X射线能量色散谱(EDX)、霍尔测量和紫外激光器等对薄膜的晶体结构、Co掺杂浓度、载流子浓度、导电类型及光敏特性等进行测试。结果表明,SiC薄膜为6H型晶体结构,Co掺杂后SiC薄膜的导电类型由n型转变为p型,载流子浓度比未掺杂的高2个数量级,对紫外光灵敏度是未掺杂的2倍,光照响应时间比未掺杂的缩短1/3。
赵兴亮安玉凯刘技文
关键词：SIC薄膜CO掺杂射频磁控溅射
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0