赫占军
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国矿业大学更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程理学更多>>
- Cd（Cu）S、Cu2O半导体/石墨烯纳米复合材料的制备、结构与性能研究
- 本文采用Hummers法制备氧化石墨,采用溶剂热和水热方法合成了几种纳米材料与石墨烯的复合材料,采用SEM、XRD等测试方法对其微观结构特征进行了分析,研究了石墨烯基复合材料的电化学性能和光催化性能,并模拟计算了材料的能...
- 赫占军
- 关键词：石墨烯CDSCUSCU2O纳米复合材料电子结构
- 复合盐熔剂法制备PbSe纳米颗粒及其电化学性能（英文）被引量：1
- 2014年
- 以复合盐为反应熔剂,Se粉和硝酸铅为原料,乙二胺为还原剂,在不使用任何有机分散剂和络合剂的情况下,在180℃下加热24 h制备了PbSe纳米晶。分别研究了不同去离子水量对纳米颗粒生长的影响及纳米颗粒的形成机理。最后,对它的电化学性能进行了研究。结果表明,通过调节去离子水含量和反应时间可以控制产物粒度,PbSe纳米颗粒的电化学活性可以通过调节电解质溶液的碱性进行改变。
- 罗锦朱亚波殷大根赫占军
- 关键词：PBSE电化学
- Bi_2Se_3薄膜及Pb掺杂电子结构变化的第一性原理（英文）
- 2016年
- 利用第一性原理平面波赝势方法,研究Bi_2Se_3从块体到薄膜的电子结构变化特性。通过分析材料的原子位置以及电子间相互作用,具体探讨块体、双层和单层薄膜及单层Pb掺杂薄膜的能带结构、态密度等。计算结果表明,这几种材料的价带和导带主要由原子的p态构成,同时由于Bi(Pb)的6s轨道态对价带顶的影响,它们的带隙类型随着材料结构的变化,发生从直接带隙到间接带隙的转变,此外Pb掺杂单层薄膜后产生的Se(1’)层对其电子结构的变化有重要影响。
- 陈磊朱亚波李延龄范贺良赫占军
- 关键词：态密度电子结构
