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杨安平

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：渤海大学科技实验中心更多>>
发文基金：国家科技支撑计划更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇正硅酸乙酯
  • 1篇碳化硅
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米SIC
  • 1篇硅酸
  • 1篇改性
  • 1篇表面改性

机构

  • 1篇渤海大学

作者

  • 1篇刘连利
  • 1篇王莉丽
  • 1篇刘伟
  • 1篇杨安平

传媒

  • 1篇中国材料科技...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiO2包覆纳米SiC的制备及表征被引量：3
2009年
采用正硅酸乙酯水解法在SiC表面包覆SiO2，并通过实验探讨了TEOS用量、总体系CTEOS等因素对包覆效果影响。实验确定了制备包覆粒子的优化工艺条件：SiC／TEOS的最佳物质量比值为5：1，最佳总体系CTEOS为0．2mol／L。采用ZETA、IR、XRD等测试手段对SiO2改性的碳化硅粉体进行了表征。沉降实验表明：碳化硅表面改性后，在硅溶胶中浆料的稳定悬浮性提高。
刘连利刘伟王莉丽杨安平
关键词：碳化硅正硅酸乙酯表面改性
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共1页<1>
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