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廖雪阳

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇迁移率
  • 1篇氢气
  • 1篇晶体管
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇RELIAB...
  • 1篇STRESS
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇FAILUR...
  • 1篇GAN基HE...
  • 1篇HEMT

机构

  • 2篇工业和信息化...

作者

  • 2篇曾畅
  • 2篇李汝冠
  • 2篇廖雪阳
  • 1篇来萍
  • 1篇陈义强
  • 1篇恩云飞
  • 1篇黄云

年份

  • 2篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Failure mode and mechanism of the RF-AlGaN/GaN HEMTs under high temperture operation stress
AlGaN/GaN HEMTs are attracting considerable attention as high temperature,high-power and high-frequency device...
曾畅王远生廖雪阳李汝冠陈义强来萍黄云恩云飞
关键词：RELIABILITYALGAN/GANHEMTFAILURE
氢气对GaN基HEMT器件性能的影响
,密闭封装的GaAs微波器件中存在着与氢效应(也称"氢中毒")相关的可靠性问题,这些可靠性问题会通过影响器件势垒层的有效失主浓度、改变肖特基内建势、减少沟道载流子浓度,从而使得微波器件的直流与微波性能...
廖雪阳曾畅喻业宏李汝冠王远声
关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓氢气
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