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魏麟

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：中国民用航空飞行学院飞行技术与航空工程学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇优值
  • 2篇栅电荷
  • 2篇VDMOSF...
  • 2篇新结构
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电源
  • 1篇电阻
  • 1篇DC-DC电...
  • 1篇FET

机构

  • 2篇中国民用航空...

作者

  • 2篇魏麟

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电子器件

年份

  • 2篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种改善VDMOSFET高频性能新结构的分析与研究被引量：1
2005年
栅电荷是低压功率MOSFETs开关性能的一项很重要的参数。器件优值(Ron*Qg)是常用来量化开关性能的指标。文中对传统结构和新结构的栅电荷特性进行了二维数值模拟,并推导出可用于计算栅电荷的解析模型。仿真结果表明新结构相对于常规结构,栅电荷降低42.93%,器件优值降低37.05%。最后对新结构进行了参数优化。
魏麟
关键词：DC-DC电源VDMOSFET栅电荷优值
一种提高Power VDMOSFET栅电荷性能的新结构被引量：2
2005年
文章提出一种减小VDMOSFET栅电荷(Qg)的新结构,通过二维数值模拟:相对于常规VDMOSFET,该结构将栅电荷降低42.93%,器件优值(FOM=Qg*Ron)降低37.05%。我们分析了新结构的主要特性,并与常规VD-MOSFET进行了比较和参数优化分析。
魏麟
关键词：VDMOSFET导通电阻栅电荷优值
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