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魏麟
作品数:
2
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国民用航空飞行学院飞行技术与航空工程学院
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相关领域:
电子电信
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2篇
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2篇
电子电信
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2篇
优值
2篇
栅电荷
2篇
VDMOSF...
2篇
新结构
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导通
1篇
导通电阻
1篇
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1篇
电阻
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DC-DC电...
1篇
FET
机构
2篇
中国民用航空...
作者
2篇
魏麟
传媒
1篇
微电子学与计...
1篇
电子器件
年份
2篇
2005
共
2
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一种改善VDMOSFET高频性能新结构的分析与研究
被引量:1
2005年
栅电荷是低压功率MOSFETs开关性能的一项很重要的参数。器件优值(Ron*Qg)是常用来量化开关性能的指标。文中对传统结构和新结构的栅电荷特性进行了二维数值模拟,并推导出可用于计算栅电荷的解析模型。仿真结果表明新结构相对于常规结构,栅电荷降低42.93%,器件优值降低37.05%。最后对新结构进行了参数优化。
魏麟
关键词:
DC-DC电源
VDMOSFET
栅电荷
优值
一种提高Power VDMOSFET栅电荷性能的新结构
被引量:2
2005年
文章提出一种减小VDMOSFET栅电荷(Qg)的新结构,通过二维数值模拟:相对于常规VDMOSFET,该结构将栅电荷降低42.93%,器件优值(FOM=Qg*Ron)降低37.05%。我们分析了新结构的主要特性,并与常规VD-MOSFET进行了比较和参数优化分析。
魏麟
关键词:
VDMOSFET
导通电阻
栅电荷
优值
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