您的位置： 专家智库 > >

陈喜明

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：株洲中车时代电气股份有限公司更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化工艺
  • 1篇氧氮化
  • 1篇态密度
  • 1篇界面态
  • 1篇界面态密度
  • 1篇击穿电压
  • 1篇4H-SIC
  • 1篇MOS电容

机构

  • 1篇电子科技大学
  • 1篇株洲中车时代...

作者

  • 1篇张波
  • 1篇邓小川
  • 1篇陈喜明

传媒

  • 1篇大功率变流技...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
4H-SiC栅氧氮化工艺优化被引量：1
2016年
为了改善SiC MOS电容氧化膜的质量和界面态密度,采用正交试验法考察了温度、压力、时间以及一氧化氮气流量等主要氮化工艺参数对4H-SiC MOS电容栅氧特性的影响,发现温度是影响栅氧特性最关键因素。优选出栅氧的最佳氮化工艺条件,并找到氮化工艺条件对击穿电压和界面态密度的影响规律。
陈喜明李诚瞻赵艳黎邓小川张波
关键词：4H-SICMOS电容氮化工艺击穿电压界面态密度
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0