赵强
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：安徽大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- N阱掺杂对PMOS管的SET效应影响研究被引量：1
- 2018年
- 基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺杂对单管PMOS单粒子瞬态脉冲(SET)效应的影响。针对PMOS管SET电流的各组分进行了分析,讨论了粒子轰击后器件各端口电流的变化情况。研究结果表明,增大N阱掺杂浓度能有效降低衬底空穴收集量,提升N阱电势,抑制寄生双极放大效应,减少SET脉冲宽度。该研究结果对从工艺角度提升PMOS器件的抗辐射性能有指导意义。
- 赵强徐骅刘畅咏韩波韩波彭春雨王静
- 关键词：PMOS工艺波动
- SRAM单元SEUR脉冲宽度缩减的工艺优化方法研究
- 2020年
- 集成电路中电荷共享效应引起的多节点电荷收集在当前成为集成电路发生软错误的主要原因,然而在存储单元如SRAM中可以通过晶体管布局利用电荷共享效应将SRAM单元发生的单粒子翻转效应进行恢复。本文基于三维器件物理仿真软件对65 nm体硅CMOS工艺SRAM单元进行混合仿真,通过调节工艺参数和晶体管布局的方法研究了SRAM单元单粒子翻转恢复(SEUR)效应的特性。研究结果表明,将PMOS晶体管布局在靠近P阱/N阱边界处的位置和增加N阱深度可以减少N阱中空穴的排出量,进而提升N阱电势,抑制了器件内部的寄生双极效应,最终缩减了SRAM单元的SEUR脉冲宽度,降低了SRAM单元发生单粒子翻转的概率。该研究结果对集成电路存储单元抗辐射加固具有一定的指导意义。
- 张景波赵强卢文娟吴秀龙
- 关键词：单粒子翻转抗辐射加固版图
- 基于静态随机存取存储器的存内计算研究进展被引量：1
- 2022年
- 随着“算力时代”到来,大规模数据需要在存储器和处理器之间往返,然而传统冯·诺依曼架构中计算与存储分离,无法满足频繁访问的需求。存内计算(CIM)技术的诞生突破了冯·诺依曼瓶颈,打破了传统计算架构中的“存储墙”,因此对于“算力时代”具有革命性意义。由于静态随机存取存储器(SRAM)读取数据的速度快且与先进逻辑工艺具有较好的兼容性,因此基于SRAM的存内计算技术受到国内外学者的关注。该文主要概述了基于SRAM的存内计算技术在机器学习、编码、加解密算法等方面的应用;回顾了实现运算功能的各种电路结构,比较了各类以模数转换器(ADC)为核心的量化技术;之后分析了现有存内计算架构面临的挑战并且给出了现有的解决策略,最后从不同方面展望存内计算技术。
- 蔺智挺徐田童忠瑱吴秀龙汪方铭彭春雨卢文娟赵强陈军宁
- 关键词：静态随机存取存储器人工智能卷积神经网络模数转换器
- 单材料双功函数栅MOSFET的电容模型
- 2013年
- 基于表面势理论和电荷平衡方程,建立了一种单材料双功函数栅(single materialdouble workfunction gate,SMDWG)MOSFET的电容模型,分别给出了SMDWG MOSFET的栅-源和栅-漏电容的解析表达式,物理概念清晰,且参数可调。通过与MEDICI模拟结果比较和分析,进一步验证了该物理模型的正确性和可行性。然后,基于上述模型设计了SMDWG MOSFET的电容等效电路,发现在考虑总电容的时候,只需要考虑其中的一个分电容,有效简化了对该器件的计算和分析,对器件的设计和应用具有一定的参考意义。
- 张伟徐太龙周茂秀赵强代月花
- 关键词：MOSFET电容表面势等效电路
