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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇红外
  • 1篇电路
  • 1篇读出电路
  • 1篇引线
  • 1篇引线键合
  • 1篇增透
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  • 1篇探测器
  • 1篇探测器芯片
  • 1篇锑化铟
  • 1篇抛光硅片
  • 1篇面阵
  • 1篇键合
  • 1篇焦平面
  • 1篇焦平面阵列
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  • 1篇硅片
  • 1篇核心部件
  • 1篇红外焦平面
  • 1篇红外焦平面阵...

机构

  • 3篇中国航空工业...

作者

  • 3篇王晶
  • 1篇王锦春
  • 1篇司俊杰
  • 1篇吕衍秋
  • 1篇苏现军
  • 1篇王巍
  • 1篇孙维国
  • 1篇张向锋
  • 1篇王海珍
  • 1篇陈洪许
  • 1篇张亮
  • 1篇向军荣
  • 1篇林磊
  • 1篇朱炳金
  • 1篇宋开臣

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇航空兵器

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
CTIA型红外焦平面阵列非均匀性研究被引量:2
2011年
根据CTIA型红外焦平面阵列的工作原理,分析了非均匀性的来源:探测器芯片、CTIA运算放大器的输入失调电压以及读出电路的积分电容。对这几种因素造成的非均匀性进行了分析、计算和实际测试。最后,提出了使焦平面阵列非均匀性最佳的探测器工作偏置区间。
王巍王晶王锦春
关键词:非均匀性CTIA读出电路红外焦平面阵列
InSb红外探测器芯片金丝引线键合工艺研究被引量:6
2013年
InSb红外探测器芯片镀金焊盘与外部管脚的引线键合质量直接决定着光电信号输出的可靠性,对于引线键合质量来说,超声功率、键合压力、键合时间是最主要的工艺参数。从实际应用出发,采用K&S公司4124金丝球焊机实现芯片镀金焊盘与外部管脚的引线键合,主要研究芯片镀金焊盘第一焊点键合工艺参数对引线键合强度及键合区域的影响,通过分析键合失效方式,结合焊点的表面形貌,给出了适合InSb芯片引线键合质量要求的最优工艺方案,为实现InSb芯片引线键合可靠性的提高打下了坚实的基础。
朱炳金林磊宋开臣王晶
关键词:引线键合超声功率
一种借助硅实现大片锑化铟阵列芯片的转移方法
本发明公开了一种借助硅实现大片锑化铟阵列芯片的转移方法,采取一种硅-硅键合结构实现大片锑化铟阵列芯片[1]的背面减薄及转移,其步骤包括:首先在背面减薄使用的玻璃垫板[6]上粘接一圆形单抛硅片[4]作为衬底,然后在硅衬底粗...
向军荣吕衍秋张向锋张亮孙维国司俊杰王海珍陈洪许苏现军刘慧王晶
共1页<1>
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