王宇奇
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种低损耗高耦合片上变压器的设计
- 2016年
- 采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种低损耗高耦合的单圈倒装交错层叠结构的片上变压器,这种结构减小了初级线圈与次级线圈间的垂直距离,提高了线圈间的耦合度及线圈的品质因数Q,从而提高了变压器的传输效率。同时对地面层进行了改进,在100 GHz时,耦合因子k从0.81增大到0.95,并探讨了线圈直径d和宽度w对变压器性能的影响。该变压器在89 GHz时Q达到最大值18.5,在30-150 GHz频率范围内耦合因子k为0.65-1,最大可用增益Gmax接近于1,该变压器可应用于毫米波集成电路设计中改善电路性能。
- 王宇奇何进罗将王豪常胜黄启俊熊永忠
- 关键词：毫米波低损耗
- 一种10Gb/s的跨阻放大器设计被引量：1
- 2017年
- 基于0.18μm SiGe Bi CMOS工艺,设计了用于10Gb/s光通信的跨阻放大器,介绍了直流偏移消除电路和自动增益控制电路。做了关于跨阻放大器输出信号带宽、差分增益和灵敏度的仿真,画出版图结构并进行了后仿真分析。
- 张贵博何进王宇奇彭尧童志强王豪常胜黄启俊
- 关键词：跨阻放大器自动增益控制
- BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用被引量：1
- 2016年
- 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款"10-Gbps跨阻放大器(TIA)"芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V^3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压为1.2 V,温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 d B,具有良好的性能。应用该带隙基准电压源完成了TIA芯片中偏置电路模块的设计,该偏置电路除了提供偏置电流外,还具备带宽调节功能,可实现对TIA输出电压信号带宽进行7.9 GHz、8.9 GHz、9.8 GHz和10.1 GHz四档调节,提高了TIA芯片的应用性。目前,带隙基准电压源与偏置电路随TIA芯片正在进行MPW(多项目晶圆)流片。
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- 关键词：BICMOS带隙基准电压源偏置电路
