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1064nm纳秒单脉冲激光对互补金属氧化物半导体探测器的损伤效应实验研究被引量：4: 2013年; 实验采用60ns、1064nm单脉冲激光辐照前照式有源型可见光CMOS探测器，随着损伤程度的加深，分别观察到点损伤、半边黑线损伤以及十字交叉黑线损伤等硬损伤现象。各损伤现象出现时对应的探测器表面激光能量密度分别为0．38、0．64、1．0J／cm2。进一步提高激光能量密度，观察到十字交叉黑线变粗，覆盖面积扩大。即使激光能量密度达到2．8J／cm2，此时黑线已经覆盖绝大部分探测器像元，但探测器仍然没有完全失效，未损伤区域还可以成像。基于CMOS样品的结构和工作原理，对损伤机理进行了理论分析，认为点损伤是由于热效应引起结构缺陷从而造成漏电流增加，半边黑线损伤和十字交叉黑线损伤是由于器件电路的熔断导致信号中断。; 郭锋朱志武朱荣臻程湘爱; 关键词：传感器

单晶Si、单结GaAs太阳能电池的激光损伤特性对比研究被引量：12: 2015年; 采用1064 nm纳秒脉冲激光辐照单晶Si、单结G As太阳能电池,针对不同强度激光辐照太阳能电池的损伤特性进行了实验研究,得出激光光斑聚焦在电池栅线上时,电池更易损伤,单晶Si电池的栅线打断之后仍能很好工作,单结GaAs电池却完全失效,这是由于高掺杂的基底锗熔融凝固连接栅线,导通电池正负极.实验结果还表明,激光辐照在电池表面时,对单晶Si电池基本没有影响,而GaAs电池输出性能也没有很大幅度的下降.理论分析了纳秒激光对电池的损伤主要是热、力效应共同作用的结果.热效应使材料熔化、气化,力效应主要沿着激光传输的方向,垂直于材料表面.常温下Si材料对1 064 nm有较强的本征吸收,GaAs电池的GaAs层透过1 064 nm,Ge基底本征吸收1 064 nm,Ge材料的熔点低于Si材料且其禁带宽度更窄,故其初始损伤阈值略低.通过SEM扫描电镜、激光拉曼材料分析及X射线光电子能谱仪等分析手段对实验结果进行了验证.; 朱荣臻王睿江天许中杰程湘爱; 关键词：太阳能电池激光损伤扫描电镜

连续激光辐照单晶硅电池的同轴彩虹环效应研究: 采用532nm连续激光辐照单晶硅太阳能电池,研究了不同强度激光辐照下电池表面的损伤特性.实验发现,损伤后的电池表面在显微镜下观察到同轴周期性的彩虹环,采用扫瞄电子显微镜、轮廓仪和X射线光电子能谱仪对损伤后电池表面进行相关...; 朱荣臻王睿程湘爱许中杰; 关键词：连续激光单晶硅热效应

532nm单脉冲纳秒激光辐照太阳能电池的损伤研究被引量：3: 2014年; 针对532nm纳秒单脉冲激光辐照单晶硅、砷化镓（GaAs）太阳能电池的损伤效应，结合电池的结构和等效电路，分析了纳秒单脉冲激光对两种太阳能电池的损伤机理。结果表明，激光辐照区域的太阳能电池组成成份改变，PN结内部缺陷增多，载流子复合几率增大，导致太阳能电池输出性能下降，单晶硅材料的电池输出性能下降并不明显，而GaAs材料的电池由于砷等元素的升华，镓等金属元素的熔融再凝固过程，形成一个连接电池正负极的导电通路，导致GaAs电池不能正常工作。; 朱荣臻王睿许中杰江天沈超; 关键词：太阳能电池脉冲激光单晶硅砷化镓

连续激光辐照单晶硅电池的同轴彩虹环效应研究: 采用532nm连续激光辐照单晶硅太阳能电池,研究了不同强度激光辐照下电池表面的损伤特性。实验发现,损伤后的电池表面在显微镜下观察到同轴周期性的彩虹环,采用扫瞄电子显微镜、轮廓仪和X射线光电子能谱仪对损伤后电池表面进行相关...; 朱荣臻王睿程湘爱许中杰; 关键词：连续激光单晶硅热效应; 文献传递

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朱荣臻