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文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇电路
  • 3篇集成电路
  • 2篇低压差
  • 2篇低压差线性稳...
  • 2篇电路结构
  • 2篇电源
  • 2篇电源抑制
  • 2篇电源抑制比
  • 2篇压差
  • 2篇抑制比
  • 2篇输入电压
  • 2篇稳压
  • 2篇稳压器
  • 2篇误差放大器
  • 2篇线性电源
  • 2篇线性稳压器
  • 2篇相控阵
  • 2篇相控阵雷达
  • 2篇雷达
  • 2篇基准电压

机构

  • 10篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 10篇朱冬梅
  • 2篇张正璠
  • 2篇黄文刚
  • 2篇黄晓宗
  • 2篇胡永贵
  • 2篇许云
  • 2篇刘凡
  • 2篇苏晨
  • 2篇廖良
  • 2篇王敬
  • 2篇孙毛毛
  • 2篇李鹏
  • 1篇刘林涛
  • 1篇王国强
  • 1篇刘伦才
  • 1篇王健安
  • 1篇付东兵
  • 1篇徐青
  • 1篇徐佳丽
  • 1篇吴晓明

传媒

  • 3篇微电子学

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种新型CMOS T/R组件控制及驱动芯片的研制
2007年
重点介绍了一种正向设计的全定制CMOS T/R组件控制及驱动芯片,并对其工作原理、线路设计、版图设计及可靠性设计等进行了简要描述。该产品具有功能多,功耗低(≤20mW),开关速度快(输出上升/下降时间≤20 ns),工作频率高(最高工作频率可达6 MHz),输出高低电平电压幅度大(VOL≤-4.9 V,VOH≥-0.1 V),32路输出一致性好等优点,可广泛应用于数字通讯和相控阵雷达天线系统中。
苏晨朱冬梅
关键词:T/R组件CMOS集成电路相控阵雷达
一种高电源抑制比的NMOS基准电压源
本发明公开了一种高电源抑制比的NMOS基准电压源,它含有:一个NMOS预基准源电路,其输出为基准源电路供电,包括四个耗尽型NMOS管和四个增强型NMOS管;一个基准源电路,包括四个耗尽型NMOS管和四个增强型NMOS管。...
胡永贵张正璠朱冬梅许云余金锋王敬廖良
文献传递
压差检测电路及低压差线性稳压器
本发明提供一种压差检测电路及低压差线性稳压器,所述压差检测电路利用低压差线性稳压器结构中固有的误差放大器,结合额外添加的少数元器件构成的检测支路,根据检测支路输出的检测信号的电平变化即可判断出低压差线性稳压器的输入电压与...
孙毛毛苟超李鹏朱冬梅
文献传递
压差检测电路及低压差线性稳压器
本发明提供一种压差检测电路及低压差线性稳压器,所述压差检测电路利用低压差线性稳压器结构中固有的误差放大器,结合额外添加的少数元器件构成的检测支路,根据检测支路输出的检测信号的电平变化即可判断出低压差线性稳压器的输入电压与...
孙毛毛苟超李鹏朱冬梅
文献传递
系统级封装的片上和板级协同ESD保护方案被引量:1
2018年
提出了一种面向系统级封装(SiP)的片上和板级协同设计方案,提升了电路的ESD性能。该SiP系统集成了若干驱动放大器、ADC和电阻电容。虽然集成的芯片引脚均可满足2 000V的HBM ESD能力,但因为封装尺寸为0402的高精度薄膜电阻会受到损伤,所以SiP仅能承受600V的ESD冲击。在SiP中增加了高速开关二极管1N4148,以泄放ESD冲击电流,使得该SiP集成电路系统的ESD能力从600V提升至2 500V。片上与板级协同设计方法能显著提升产品的可靠性,可广泛应用于SiP产品中。
黄晓宗干旭春刘凡刘凡黄文刚黄文刚朱冬梅王国强
关键词:ESD保护寄生效应系统级封装
一种抗辐射加固16位数模转换器的设计技术
研究高精度大规模高低压兼容数字模拟转换器中(DAC:Digital to analog converter)抗辐射加固的设计技术.在一款大规模、数模混合、集成高密度数字电路、兼容高低压工作的DAC中,重点对总剂量辐射产生...
朱冬梅付东兵钟英峻徐佳丽
关键词:数模转换器抗辐射加固版图设计
一种具有低注入电荷的低平坦度高精度模拟开关电路
本发明属于集成电路设计领域,具体涉及一种具有低注入电荷的低平坦度高精度模拟开关电路;包括:第一延迟控制电路输出端连接P1栅极和第二延迟控制电路输入端;第二延迟控制电路输出端和P1衬底均连接第一衬底控制电路;信号<Imag...
刘骏豪朱冬梅徐青熊派派陈仕松余佳
一种高维持电压的双向SCR保护结构
本发明涉及一种高维持电压的双向SCR保护结构,包括P型衬底、衬底P+掺杂区、N型深阱、衬底P+区、第一至第三N型阱、第一至第二P型阱、第一P+掺杂区、第一N+掺杂区、第一至第二触发P+掺杂区、第三N+掺杂区和第三P+掺杂...
黄晓宗刘伦才刘林涛王健安黄文刚刘凡朱冬梅
文献传递
一种新型移相驱动器的设计
2008年
设计了一种新型移相驱动器,它在常规移相驱动器的基础上集成了D/A转换器、积分器、比较器等多种电路。该电路具有功耗低(≤5mA),驱动能力强(驱动电流≥±30mA),可靠性高等优点,符合移相驱动器高精度、高集成度、小型化的发展方向。
苏晨吴晓明朱冬梅
关键词:移相驱动器相控阵雷达CMOS集成电路
一种高电源抑制比的E/D NMOS基准电压源
本发明公开了一种高电源抑制比的E/D NMOS基准电压源,它含有:一个E/D NMOS预基准源电路,其输出为基准源电路供电,包括四个耗尽型NMOS管和四个增强型NMOS管;一个基准源电路,包括四个耗尽型NMOS管和四个增...
胡永贵张正璠朱冬梅许云余金锋王敬廖良
文献传递
共1页<1>
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