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张迪雅

作品数：5 被引量：24H指数：3
供职机构：中北大学更多>>
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇压阻
  • 3篇压阻式
  • 2篇压力传感器
  • 2篇压阻式压力传...
  • 2篇力传感器
  • 2篇感器
  • 2篇SOI
  • 2篇MEMS
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇倒装焊
  • 1篇倒装焊封装
  • 1篇倒装焊接
  • 1篇压力敏感
  • 1篇压力敏感芯片
  • 1篇优化设计
  • 1篇正交
  • 1篇正交试验
  • 1篇直接键合
  • 1篇数对

机构

  • 5篇中北大学

作者

  • 5篇梁庭
  • 5篇李旺旺
  • 5篇张迪雅
  • 4篇姚宗
  • 3篇熊继军
  • 3篇张瑞
  • 2篇贾平岗
  • 1篇王心心
  • 1篇刘雨涛
  • 1篇齐蕾

传媒

  • 3篇仪表技术与传...
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 1篇2017
  • 4篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
MEMS压阻式压力传感器倒装焊封装的研究和发展被引量：5
2016年
介绍了倒装焊接技术在MEMS压阻式压力传感器封装领域的优势和目前研制的压力敏感芯片的倒装焊的关键技术。根据封装结构设计和基板材料的不同,详细论述了国内外MEMS压阻式压力传感器倒装焊技术的研究成果。最后总结了MEMS压力传感器倒装焊技术的发展前景和所面临的挑战。
张迪雅梁庭姚宗李旺旺张瑞熊继军
关键词：压力传感器封装
ICP工艺参数对刻蚀Pyrex玻璃影响的实验研究(英文)被引量：1
2016年
影响ICP刻蚀的工艺参数包括反应室压力,偏置射频功率,氩气流量比率。通过正交试验的方法,以CHF3和Ar的混合物作为反应气体,利用电感耦合等离子体技术刻蚀Pyrex玻璃。并采用回归分析方法建立了二次回归方程模型描述腐蚀速率和三个因素之间的关系。实验结果表明,氩气的流量比率(总气体流量(CHF3+Ar)是恒定的)对刻蚀速率的影响最大,影响程度的主次顺序为氩气的流量比率,反应室压力,偏置射频功率。腐蚀速率和三个因素之间的数学表达式为:腐蚀速率=532.680 0+2.055 6×Ar+0.012 7×(偏置射频功率)-0.964 1×压力-0.065 5×Ar2-0.006 7×Ar×(偏置射频功率)+0.021 7×(偏置射频功率)×压力-0.050 4×(压力)2,实验结果证明数学拟合结果良好。
张迪雅梁庭刘雨涛王涛龙李旺旺姚宗熊继军
关键词：正交试验刻蚀速率
表面处理对碳化硅直接键合的影响研究被引量：5
2016年
SiC的直接键合对于许多应用于高温环境的MEMS微器件有着非常重要的应用价值,但是晶片的表面处理是影响SiC直接键合的关键因素。设计中采用改进后的湿法清洗方法和等离子体处理对晶片表面进行处理;从而得到满足直接键合的洁净度和粗糙度。最后利用热压法实现了SiC的直接键合,并且估计其键合能为14.47 MPa。
李旺旺梁庭张迪雅王心心贾平岗张瑞王涛龙
关键词：SIC直接键合表面处理热压法
基于SOI的MEMS压阻式高温压力敏感芯片的研制被引量：3
2017年
设计并制备了一种基于SOI(silicon on insulator)材料的MEMS压阻式高温压力敏感芯片。在设计方面,通过理论计算与仿真,对敏感芯片各项参数进行了优化;在工艺方面,设计了基于标准MEMS工艺的制作流程,并创新性地提出了"器件区下沉"工艺步骤,以提高敏感芯片工艺制备的可靠性。采用316L不锈钢基座对MEMS压力敏感芯片进行封装后,完成了温度、压力复合环境标定测试,结果显示其具有较高的测量精度,并可在20~220℃温度范围内稳定工作,具备在高温恶劣环境中应用的前景。
姚宗梁庭张迪雅李旺旺齐蕾熊继军
关键词：SOIMEMS压阻高温压力敏感芯片
SOI压阻式压力传感器敏感结构的优化设计被引量：11
2016年
为提高SOI压阻式压力传感器的灵敏度,对传感器敏感结构的弹性膜片和压敏电阻的形状、尺寸等结构参数进行了优化设计。利用COMSOL Multiphysics多物理场耦合分析软件对优化后的敏感结构进行了静力学仿真与分析,完成了敏感芯片的制备和加压测试,测试结果表明:优化后的传感器输出灵敏度为5.98 m V/(V·bar),较原结构输出灵敏度提高了1倍,非线性误差小于0.096%。
李旺旺梁庭张迪雅张瑞姚宗贾平岗
关键词：优化设计
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