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张电

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇非晶
  • 3篇非晶碳
  • 2篇电极
  • 2篇电极结构
  • 2篇平面电极
  • 2篇负电压
  • 2篇掺杂
  • 2篇磁特性
  • 1篇底电极
  • 1篇多态
  • 1篇碳膜
  • 1篇热蒸发
  • 1篇开关特性
  • 1篇非晶碳膜

机构

  • 3篇上海大学

作者

  • 3篇王林军
  • 3篇汪琳
  • 3篇张电
  • 2篇任兵
  • 2篇张淑玮
  • 2篇周家伟
  • 2篇杨瑾
  • 2篇季欢欢

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层...
汪琳周家伟张电季欢欢杨瑾张淑玮任兵王林军
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具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有多态阻变特性的非晶碳基阻变存储单元及其制备方法，该单元结构由底电极、阻变介质层、顶电极组成。其中所述底电极为位于衬底上的FTO，阻变介质层为非晶碳膜，顶电极为铝。本发明公开了其制备方法，具体是采用直流...
汪琳张电李泰然姜亦杨王林军
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具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层...
汪琳周家伟张电季欢欢杨瑾张淑玮任兵王林军
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