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汪正平

作品数：42 被引量：0H指数：0
供职机构：广东工业大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 13篇激光
  • 11篇刻蚀
  • 9篇刻蚀液
  • 6篇折点
  • 6篇纳米
  • 5篇石墨
  • 5篇石墨烯
  • 5篇微结构
  • 5篇六自由度
  • 4篇掩膜
  • 4篇掩膜板
  • 4篇声压
  • 4篇疏水
  • 4篇喷嘴
  • 4篇紫外光固化
  • 4篇紫外激光
  • 4篇晶向
  • 4篇激光加工
  • 4篇激光加工系统
  • 4篇光固化

机构

  • 42篇广东工业大学

作者

  • 42篇陈新
  • 42篇陈云
  • 42篇汪正平
  • 35篇高健
  • 34篇刘强
  • 19篇贺云波
  • 17篇张胜辉
  • 4篇张凯
  • 2篇杨志军
  • 2篇杨海东
  • 2篇张昱
  • 2篇高波

年份

  • 15篇2020
  • 18篇2019
  • 1篇2018
  • 7篇2017
  • 1篇2016
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种复杂三维结构微通道的加工方法
本发明公开了一种复杂三维结构微通道的加工方法，以金属粒子作为催化剂，根据所需要成形的三维微通道结构，通过机械外力改变加工件方位和旋转速度，从而控制金属粒子催化剂与加工件的接触位置与运动方向，在氢氟酸和氧化剂的混合溶液的作...
陈云陈新高健张昱汪正平高波贺云波杨志军
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一种通过激光加工顶接触结构有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种通过激光加工顶接触结构有机场效应晶体管的方法，包括以下步骤：步骤A，使用去污粉对厚度为120μm的柔性衬底进行擦洗，然后将柔性衬底分割成3cm×2cm，步骤B，将激光加工系统的参数设置为栅电极的加工参数和...
陈云龙俊宇李力一陈新高健刘强汪正平张胜辉
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一种超声释放式Micro-LED巨量转移方法
一种超声释放式Micro‑LED巨量转移方法包括如下步骤，A、转移准备，转移基板水平放置，转移基板的下表面富有弹性膜，晶片粘附在弹性膜的表面，在平放转移基板的上表面的位置设有超声发生单元，在该超声发生单元表面安装有超声换...
陈云施达创陈新刘强高健汪正平
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一种采用超声驻波操纵Micro-LED巨量转移的方法
本发明公开了一种采用超声驻波操纵Micro‑LED巨量转移的方法，移动转移基板，使需要转移的Micro‑LED晶片对准激光发射器；接着激光发射器发出激光光束，使Micro‑LED晶片脱离转移基板的弹性层并落到超声操控范围...
陈云施达创陈新刘强高健汪正平
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一种利用干涉光照射辅助刻蚀的装置
本实用新型涉及一种利用干涉光照射辅助刻蚀的装置，包括基座、六自由度平台、反应隔离腔、搅拌器和刻蚀液容器；所述六自由度平台设置在所述基座的底部，所述反应隔离腔设置在所述基座的顶部；所述刻蚀液容器设置在所述反应隔离腔内，所述...
施达创陈云姚瑶陈新高健刘强贺云波汪正平赵铌
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一种微结构刻蚀的加工装置
一种微结构刻蚀的加工装置，包括驱动装置、反应装置和操作台；驱动装置包括旋转装置和六自由度运动平台；旋转装置设于六自由度运动平台的上方；反应装置包括反应盒体、加热贴片、搅拌励磁线圈、特殊磁力搅拌盘、若干层晶圆支架、喷淋器和...
陈云李力一苏振欣陈新刘强汪正平
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一种形状可控的3D螺旋微天线的加工方法及装置
本发明公开了一种形状可控的3D螺旋微天线的加工方法及装置，包括微导线生成腔、共轴喷嘴和支撑液容器，所述微导线生成腔从上到下依次分为上、中、下三层腔体，所述微导线生成腔的上层腔体为微流腔；所述微导线生成腔的中层腔体为紫外光...
陈云丁树权陈新高健赵铌侯茂祥张揽宇贺云波汪正平
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一种光源引导下的超高密度空间互连引线的加工方法
本发明公开了一种光源引导下的超高密度空间互连引线的加工方法，包括如下步骤：调配光热响应导电浆料，并放入气压注射器中；驱动气压注射器，使气压调节器上的微喷嘴对第一芯片焊盘，将光热响应导电浆料挤出，使光热响应导电浆料与第一芯...
陈云丁树权贺云波侯茂祥陈新高健赵铌张揽宇汪正平
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一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法及装置
本发明涉及一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法，包括如下步骤：步骤一，检测出芯片的缺陷位置及填充材料的种类与性能参数；步骤二，将所述芯片放置在二维运动平台上，对所述芯片进行定位，标定出芯片上的原点，设定二维运动平台的速度与...
陈云姚瑶丁树权龙俊宇侯茂祥施达创陈新高健刘强张揽宇贺云波张胜辉汪正平
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一种温控粘附式Micro-LED巨量转移方法
一种温控粘附式Micro‑LED巨量转移方法，包括如下步骤：A、设置自装结构，晶片一面加工有正极引脚和负极引脚，另一面加工有自组装微结构，转移基板加工有自承接微结构，自组装微结构和自承接微结构相互装配，自承接微结构表面涂...
陈云施达创陈新刘强高健汪正平
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