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梁望

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：重庆师范大学物理与电子工程学院更多>>
发文基金：重庆市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇驱动电流
  • 1篇温度
  • 1篇温度敏感
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米压印
  • 1篇纳米压印技术
  • 1篇环境温度
  • 1篇光谱参数
  • 1篇光学
  • 1篇白光
  • 1篇白光LED
  • 1篇PL谱
  • 1篇GAN

机构

  • 2篇重庆师范大学

作者

  • 2篇苑进社
  • 2篇梁望
  • 1篇冯媛媛
  • 1篇龙兴明
  • 1篇周平

传媒

  • 1篇中国西部科技
  • 1篇重庆师范大学...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
环境温度和驱动电流对白光LED的温度敏感光学参数影响被引量：3
2015年
白光发光二极管(LED)温度敏感光学参数是结温测量的重要手段,本文对不同环境温度和驱动电流条件下LED温度敏感光学参数包括:峰值波长、蓝白功率比和光通量法与正向电压结温测量法的测量精度进行了对比实验研究。实验结果表明:在环境温度恒定为30℃、驱动电流改变范围在100m A-700m A的工作条件下,峰值波长法和蓝白比法与结温有良好的相关性,对比误差小于3.9%,而光通量法对比误差最大为6.3%;在电流恒定为700m A、环境温度在25℃-75℃之间变化的工作条件下,峰值波长法、光通量法及蓝白功率比法中的光学参数与结温都具有良好的线性关系,整体对比误差小于3.25%。
左佳奇龙兴明冯媛媛任霄钰梁望苑进社
关键词：白光LED温度敏感光谱参数
纳米压印技术制备Si基GaN纳米柱图形化衬底被引量：1
2014年
采用纳米压印和反应离子刻蚀技术,通过实验研究反应离子刻蚀时间与GaN纳米柱高度的相关性,成功地在Si基GaN衬底上制备出了GaN纳米柱图形化衬底。SEM表征分析发现在图形化衬底上所制备的GaN纳米柱形貌均匀、排列整齐;室温光致发光光谱分析发现GaN纳米柱图形化衬底与GaN材料相比带边发光峰出现2.1nm的红移,发光强度增强。研究结果表明GaN纳米柱内应力得到释放且具有光子晶体的作用。
周平任霄钰梁望苑进社
关键词：纳米压印PL谱
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