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杨秀芳
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1
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供职机构:
天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室
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李倩倩
天津大学理学院天津市低维功能材...
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2015
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GaN基450nm波长LD在阈值处的反常电学特性
2015年
精确表征了GaN基450nm波长LD的电学特性,表观测量的电学参量在阈值附近都出现了明显的突变。器件的(IdV/dI-I)曲线在阈值处突然上跳。与此对应,其他电学参量在阈值处的突变也与以往观察到的窄带隙780nm波长LD在阈值处的突变完全反向。表观特性的反常必定造成反常的结特性,利用ac-IV方法精确表征了器件的结特性,在阈值区各结电学参量的突变趋势与以往报道的窄带隙780nm波长LD也完全相反。光学实验表明,在阈值区内(约3mA)光功率增加近1个量级。光特性的突然增加必定与电学特性的突变存在必然联系。所有这些反常的电学特性是传统的激光器理论难以解释的,将促使LD理论的进一步发展。
杨秀芳
赵昆
李倩倩
杜江涛
王存达
冯列峰
关键词:
GAN
激光阈值
LD
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