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文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇多元合金
  • 2篇旋涂
  • 2篇氧化镓
  • 2篇预设
  • 2篇扩散
  • 2篇合金
  • 2篇反应进度
  • 2篇反应气体
  • 2篇MOCVD
  • 2篇MOCVD设...
  • 1篇电器件
  • 1篇日盲
  • 1篇探测电极
  • 1篇探测器
  • 1篇紫外探测
  • 1篇紫外探测器
  • 1篇进样
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件
  • 1篇光电性

机构

  • 5篇中国科学院长...

作者

  • 5篇申德振
  • 5篇刘可为
  • 5篇陈星
  • 5篇杨佳霖
  • 2篇张振中
  • 2篇李炳辉
  • 2篇王潇

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2016
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种MOCVD装置及半导体材料生产设备
本发明公开了一种MOCVD装置,包括进样室、传输系统、MOCVD反应室、保护密封管及后处理室;所述进样室用于接收待处理样品;所述MOCVD反应室包括喷淋头及样品台,进行气相沉淀处理的药品从所述喷淋头喷出,达到放置于所述样...
刘可为陈星申德振杨佳霖
一种MOCVD组合喷淋头及MOCVD设备
本发明公开了一种MOCVD组合喷淋头,包括固定轨道及多个单一反应源喷淋头;所述固定轨道用于固定多个所述单一反应源喷淋头;所述单一反应源喷淋头包括机动组件、扩散腔、输气管及喷嘴阵列;反应气体通过所述输气管进入所述扩散腔,并...
刘可为陈星申德振杨佳霖
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一种MOCVD组合喷淋头及MOCVD设备
本发明公开了一种MOCVD组合喷淋头,包括固定轨道及多个单一反应源喷淋头;所述固定轨道用于固定多个所述单一反应源喷淋头;所述单一反应源喷淋头包括机动组件、扩散腔、输气管及喷嘴阵列;反应气体通过所述输气管进入所述扩散腔,并...
刘可为陈星申德振杨佳霖
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一种β-氧化镓纳米线阵列薄膜及其制备方法
本申请公开了一种β?氧化镓纳米线阵列薄膜及其制备方法,其中,β?氧化镓纳米线阵列薄膜的制备方法包括:将融化的金属镓旋涂于衬底表面;将表面涂覆有金属镓的衬底在预设温度条件焙烧第一预设时间,所述预设温度的取值范围为500?1...
陈星刘可为李炳辉张振中王潇杨佳霖申德振
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一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法
本申请公开了一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法,其中,氧化镓日盲紫外探测器的制备方法包括:将融化的金属镓旋涂于衬底表面;将表面涂覆有金属镓的衬底在预设温度条件焙烧第一预设时间,预设温度的取值范围为800‑1100℃,包...
陈星刘可为李炳辉张振中王潇杨佳霖申德振
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共1页<1>
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