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吴恩超

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学材料科学系国家微分析中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇低K材料
  • 1篇折射率
  • 1篇锂离子
  • 1篇离子

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇吴恩超
  • 1篇杨清河
  • 1篇张卫
  • 1篇李越生
  • 1篇邱玮丽
  • 1篇马晓华
  • 1篇江素华
  • 1篇卜源
  • 1篇许海洁

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2004
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
锂离子在多孔硅材料中的嵌脱行为研究
用电化学腐蚀反应制得多孔硅材料,将多孔硅材料作为正电极与锂片组装成扣式半电池。对制得的半电池分别进行恒流充放电测试与循环伏安特性测试,观测得到锂离子在多孔硅材料中有可逆的嵌入和脱嵌行为。
吴恩超许海洁卜源邱玮丽马晓华杨清河
文献传递
Forouhi-Bloomer离散方程在低k材料光学表征上的应用被引量：1
2007年
半导体工艺中对低k介质材料的精确表征是工艺监控的重要环节,传统方法如扫描电子显微镜和透射电子显微镜存在耗时长和破坏性等缺点。使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光光度法的新方法,对低k薄膜进行光学表征,得到薄膜的折射率n、消光系数k和膜厚d,并将结果与椭偏仪的测量进行比较,证明了使用F-B方程在半导体工艺中精确表征低k材料的能力和这种方法快速无损的优点。
吴恩超江素华胡琳琳张卫李越生
关键词：低K材料折射率
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