吴庆
- 作品数：6 被引量：130H指数：6
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 温度和电流对白光LED发光效率的影响被引量：66
- 2008年
- 对大功率白光LED发光效率进行了研究,得出温度和电流对LED发光效率的影响:随着温度的升高,势阱中辐射复合几率降低,从而降低了发光效率;电流的升高,使更多的非平衡载流子穿过势垒,降低了发光效率。LED工作时,过高的工作温度或者过大的工作电流都会产生明显的光衰:如果LED工作温度超过芯片的承载温度,这将会使LED的发光效率快速降低,产生明显的光衰,并且对LED造成永久性破坏;如果LED的工作电流超过芯片的饱和电流,也会使LED发光效率快速降低,产生明显的光衰。并且LED所能承载的温度与饱和电流有一定关系,散热良好的装置可以使LED工作温度相对降低些,饱和电流也可以更大,LED也就可以在相对较大的电流下工作。
- 王健黄先刘丽吴庆褚明辉张立功侯凤勤刘学彦赵成久范翊罗劲松蒋大鹏
- 关键词：LED发光效率温度电流势垒
- 白光LED荧光粉涂敷工艺及光学性质被引量：23
- 2007年
- 在20mA电流下,对自行设计的白光LED进行测试,发现荧光粉远离芯片封装方法与传统封装方法相比,流明效率提高了20.3%。效率的提高主要是因为减小了LED芯片对荧光粉散射的吸收。同时测得随着正向电流的增加,色坐标x,y的值逐渐减小,色温升高,而光通量呈非线性增加,流明效率逐渐下降。
- 刘丽吴庆黄先王健褚明辉张立功侯凤勤刘学彦赵成久范翊罗劲松蒋大鹏
- 关键词：白光LED色坐标光通量
- 电荷补偿剂对YAG:Ce荧光粉效率的影响被引量：9
- 2007年
- 在研制传统的YAG:Ce3+荧光粉过程中引入NH4F作为助熔剂,BaF2和MgF2作为电荷补偿剂,使得荧光粉的性能得到有效的改善。助熔剂的引入使YAG:Ce3+荧光粉的合成温度由原来的1600℃降低到1340℃左右,这对于降低生产成本有着十分重要的意义。引入BaF2和MgF2作为电荷补偿剂,荧光粉的发光强度得到有效的提高。尤其是引入MgF2后,光致发光强度提高了42%。从XRD谱可以看出,Mg和Ba进入晶格取代了Y。通过对晶格常数的计算,发现Mg的引入可以部分补偿Ce3+掺杂带来的晶格增大。同时电荷补偿剂的引入使荧光粉达到电荷平衡:2AYYx→2Mg′Y→VO¨、2YYx→2Ba′Y+V¨O减少了烧制过程中产生的氧空位缺陷的影响,从而减少了由于氧空位带来的无辐射跃迁。另外,以杂质离子的半径和原子的电负性为出发点,对发射光谱的峰位相对移动作了定性的解释。
- 黄先王健吴庆刘丽赵成久刘学彦侯凤勤张立功范翊蒋大鹏
- 关键词：助熔剂光致发光
- 高掺杂Ce，Gd(Y3-x-yCexGdy)Al5O12荧光粉的发光下降及温度猝灭特性被引量：14
- 2010年
- 采用高温固相法分别合成了不同Ce浓度掺杂的和固定Ce浓度为0.06不同Gd浓度掺杂的Y3Al5O12(YAG)系列荧光粉,通过测量其激发、发射光谱、漫反射光谱、荧光寿命和变温发射光谱,研究了掺杂元素的浓度对荧光粉发光性能的影响以及荧光粉发光的温度猝灭性质。研究结果表明:荧光粉发光强度随着Ce3+掺杂浓度和Gd3+掺杂浓度的提高均呈下降趋势。分析发现,荧光粉发光强度下降并非主要由浓度猝灭所引起,而是由于高浓度掺杂下发生YAG基质与Ce3+对激发光的竞争吸收,导致Ce3+对激发光的吸收量减少,从而影响发光强度。温度实验表明,随着温度的升高,荧光粉发光强度下降。Ce含量的改变对YAG:Ce荧光粉的热猝灭性质影响较小,Gd的掺杂使荧光粉的发射波长向长波方向移动,同时热猝灭现象严重。
- 褚明辉刘学彦吴庆王健蒋大鹏申德振赵成久侯凤琴
- 关键词：白光LED发射光谱发光强度
- 色坐标对白光LED光通量的影响被引量：17
- 2007年
- 研究了在蓝光芯片加黄色荧光粉制备白光LED方法中,色坐标位置对光通量的影响。在同样蓝光功率条件下,我们对标准白光点(色坐标x=0.33±0.05,y=0.33±0.05)附近不同色坐标位置的光通量进行了计算。假设(0.325,0.332)位置流明效率为100 lm/W,计算得出,最大光通量对应的色坐标位置为(0.35,0.38),光通量为112 lm;最小光通量对应的色坐标位置为(0.29,0.28),光通量为93.5 lm。相对于100 lm的变化幅度达到18.5%。通过与实验数据的对比和分析,进一步验证了白光LED光通量随色坐标增大而增加的这一趋势。
- 吴庆黄先刘丽王健褚明辉张立功侯凤勤刘学彦赵成久范翊罗劲松蒋大鹏
- 关键词：白光LED光通量色坐标
- 白光LED极限流明效率的计算被引量：10
- 2009年
- 对蓝光芯片加黄色荧光粉制备白光LED方法的流明效率进行了理论计算。根据光度学原理,我们考虑到视觉函数V(λ)的修正,以色坐标为x=0.325,y=0.332,显色指数为81.5,色温为5914K的白光LED发光光谱为依据,计算了白光LED流明效率的理论极限:得出每瓦白光LED辐射光功率产生的光通量为298.7lm,白光LED发射的总光子数为2.7×1018。在理想情况下,注入一个电子-孔穴对产生一个蓝光光子,设荧光粉的量子效率为1,因此,注入的电子-孔穴对数亦等于白光光子数,进而计算出白光LED每辐射1W的光功率所需的电功率为1.51W,上述白光LED发光光谱对应的白光LED的电-光转换的理论极限流明效率为197.8lm/W。
- 褚明辉吴庆王建黄先刘学彦申德振蒋大鹏
- 关键词：白光LED光通量
