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田海燕

作品数:2 被引量:6H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文基金:国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇亚阈值
  • 2篇亚阈值电流
  • 2篇阈值电流
  • 2篇静态功耗
  • 2篇功耗
  • 1篇低功耗
  • 1篇电路
  • 1篇亚微米
  • 1篇亚微米集成电...
  • 1篇深亚微米
  • 1篇深亚微米集成...
  • 1篇随机存储器
  • 1篇嵌入式
  • 1篇阈值电压
  • 1篇微米
  • 1篇静态随机存储...
  • 1篇集成电路
  • 1篇SRAM
  • 1篇超低功耗
  • 1篇存储器

机构

  • 2篇江南大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 2篇李天阳
  • 2篇石乔林
  • 2篇田海燕
  • 1篇薛忠杰

传媒

  • 1篇微计算机信息
  • 1篇江南大学学报...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
深亚微米集成电路静态功耗的优化被引量:6
2005年
随着工艺的发展,器件阈值电压的降低,导致静态功耗呈指数形式增长。进入深亚微米工艺后,静态功耗开始和动态功耗相抗衡,已成为低功耗设计一个不可忽视的因素。针对近年来提出的各种降低静态功耗的设计方法,本文进行了总结。对源极反偏法、双阈值法、变阈值法、多阈值法的原理和应用进行了分析和说明,并通过对各种方法的优缺点进行比较,旨在为集成电路设计人员提供减小静态功耗方面的设计思路和努力方向。
石乔林李天阳田海燕
关键词:静态功耗亚阈值电流阈值电压集成电路
一种使用浮动电源线嵌入式超低功耗SRAM的设计
2006年
为了解决存储单元的亚阈值泄漏电流问题,分析了在深亚微米下静态随机存储器(SRAM)6-T存储单元静态功耗产生的原因,提出了一种可以有效减小SRAM静态功耗浮动电源线的结构,并分析在此结构下最小与最优的单元数据保持电压;最后设计出SRAM的一款适用于此结构的高速低功耗灵敏放大器电路.仿真测试表明,使用浮动结构的SRAM的静态功耗较正常结构SRAM的静态功耗大大减小.
李天阳石乔林田海燕薛忠杰
关键词:亚阈值电流静态随机存储器静态功耗
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