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王强强

作品数:4 被引量:4H指数:2
供职机构:西北工业大学材料学院超高温结构复合材料国防科技重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金高等学校学科创新引智计划更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术

主题

  • 2篇蠕变
  • 2篇碳纤维
  • 2篇碳纤维增强
  • 2篇纤维增强
  • 2篇相变
  • 2篇晶化
  • 2篇复合材料
  • 2篇C/S
  • 2篇ICN
  • 2篇复合材
  • 1篇真空
  • 1篇蠕变行为
  • 1篇蠕变性能
  • 1篇碳氮
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积
  • 1篇气相沉积法
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇稳定化

机构

  • 4篇西北工业大学
  • 1篇河南工业大学

作者

  • 4篇夏熠
  • 4篇乔生儒
  • 4篇王强强
  • 3篇张程煜
  • 2篇李玫
  • 2篇韩栋
  • 1篇卢国峰

传媒

  • 2篇硅酸盐学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2010
  • 2篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
碳纤维增强碳氮化硅复合材料的基体在真空中的热稳定性
2009年
以六甲基二硅氮烷为先驱体,采用电热裂解化学气相沉积技术制备了以热解碳为界面的连续碳纤维增强SiCN陶瓷基复合材料(C/SiCN),并在不同温度和时间下进行了真空热处理。用扫描电镜、透射电镜、高分辨透射电镜、X衍射仪和光电分析天平分别进行微观观察、相变分析和质量测量。结果表明:热处理温度对基体晶化程度的影响要比增加热处理时间的影响更明显;非晶SiCN基体经1100℃热处理30h后已有微量β-SiC晶粒产生;在1100℃,30h;1300℃,30h;1500℃,30h和1700℃,2h热处理后,部分SiCN转变为SiC,没有发现Si3N4;1700℃热处理2h后,晶粒间的非晶SiCN内出现层状石墨;1900℃热处理0.5h后,SiCN基体几乎全部晶化,并明显出现Si3N4晶体;在1100℃到1300℃真空热处理30h后,质量损失主要是H–的损失;在1500℃到1900℃处理后,除了H–损失之外,还有部分N–损失。
王强强乔生儒夏熠张程煜卢国峰韩栋李玫
关键词:复合材料相变
稳定化预热处理对C/SiCN蠕变行为的影响被引量:3
2010年
研究了碳纤维增强SiCN陶瓷基复合材料(C/SiCN)在真空中的拉伸蠕变行为,通过对比预热处理和未热处理的两类C/SiCN的蠕变激活能,分析了预热处理的稳定化效果,并采用X射线衍射研究了C/SiCN的蠕变相变行为。结果表明,预热处理促进了非晶SiCN基体的结晶,能明显提升C/SiCN的蠕变激活能(Q),未热处理C/SiCN的Q=51kJ/mol,而热处理后试样的Q=72kJ/mol。恒定蠕变应力能明显促进非晶SiCN基体的结晶。
夏熠乔生儒王强强张程煜
关键词:蠕变晶化
电热解化学气相沉积法制备2.5D C/SiCN复合材料的蠕变性能(英文)
2013年
研究了2.5D碳纤维增强SiCN陶瓷基复合材料(C/SiCN)的真空高温拉伸蠕变性能。分别以未热处理及1 900℃真空热处理C/SiCN复合材料为研究对象,借助扫描电子显微镜、高精度光电天平及电阻仪研究了蠕变过程中C/SiCN的组织结构、质量及电阻的变化。结果表明:真空拉伸蠕变造成C/SiCN内的裂纹扩展,界面脱粘,纤维滑动、拉直及断裂等蠕变损伤;非晶SiCN基体的晶化造成C/SiCN的质量损失,蠕变过程进一步促进了SiCN晶化,加剧质量损失;C/SiCN的电阻在最初阶段下降,随时间增加逐渐升高,其变化受显微组织结构变化影响。真空预热处理的C/SiCN在蠕变过程中的显微结构、质量、电阻变化更小,体现了良好的稳定效果。
夏熠乔生儒王强强
关键词:蠕变
真空气氛下非晶硅碳氮(SiCN)陶瓷的高温晶化行为被引量:3
2009年
以六甲基二硅氮烷为单一前驱体,采用电热裂解化学气相沉积技术制备了SiCN陶瓷.借助X射线衍射仪、透射电子显微镜研究了真空环境中非晶SiCN陶瓷在1300~1900℃范围内的晶化行为,并根据研究结果,运用分解-结晶机理解释了其晶化过程.非晶SiCN陶瓷在低于1300℃开始发生分解,形成富Si-C区域,并最终发生β-SiC结晶.其结晶度随热处理温度的升高而愈加明显.在1700℃处理时发生β-SiC→α-SiC相变.分解形成的N-难以与Si-结合形成富Si-N区域,最终以N2形式溢出,在整个热处理温度范围没有出现氮气下热处理时存在的Si3N4结晶.
夏熠乔生儒王强强张程煜韩栋李玫
关键词:晶化行为相变显微结构
共1页<1>
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