潘晓伟
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西南交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 650V功率VDMOS结终端扩展优化设计
- 高压VDMOS器件需要借助终端结构来缓解结弯曲引起的曲率效应。在VDMOS器件设计中，高击穿电压、短终端长度、低漏电流和低表面电场峰值等性能参数的终端结构对芯片的稳定性和可靠性至关重要。联合传统的场板、场限环、结终端扩展...
- 潘晓伟
- 关键词：VDMOS器件集成电路芯片设计
- 单区JTE加场板终端结构的优化设计被引量：3
- 2016年
- 为了提高芯片面积利用率,采用单区结终端扩展（JTE）与复合场板技术设计了一款700 V VDMOS的终端结构。借助Sentaurus TCAD仿真软件,研究单区JTE注入剂量、JTE窗口长度和金属场板长度与击穿电压的关系,优化结构参数,改善表面和体内电场分布,提高器件的耐压。最终在120.4？m的有效终端长度上实现了838 V的击穿电压,表面最大电场为2.03×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿的表面最大电场值（2.5×105 V/cm）,受界面态电荷的影响小,具有较高的可靠性,且与高压深阱VDMOS工艺兼容,没有增加额外的掩膜和工艺步骤。
- 潘晓伟冯全源陈晓培
- 关键词：VDMOS击穿电压界面态电荷
