杜征峥
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
- 供职机构：浙江工业大学化学工程与材料学院更多>>
- 发文基金：浙江省重大科技专项基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 氨络合物体系中杂质Zn^(2+)对电沉积镍的影响被引量：2
- 2009年
- 通过霍尔槽试验研究氨络合物体系中杂质Zn2+对镍电沉积的影响,采用电化学工作站测试不同Zn2+浓度时的循环伏安曲线、稳态极化曲线及电流时间暂态曲线。结果表明:杂质Zn2+的含量为0.1g/L时,在小于2.78A/dm的电流密度范围内可正常沉积出金属镍;杂质Zn2+含量大于0.5g/L时,在较大的电流密度范围内均无法正常沉积出金属镍;过电位小于640mV时,Zn2+的存在不影响阴极反应的传递系数,且不改变阴极反应机理;当过电位大于640mV,且杂质Zn2+的浓度大于0.5g/L时,阴极反应的传递系数减小,阴极反应机理发生改变;杂质Zn2+浓度大于0.5g/L时,严重影响镍电结晶过程的成核速率,这是其抑制金属镍电沉积的主要原因。因此,采用镍氨络合物体系电积金属镍,应控制杂质Zn2+的含量小于0.1g/L。
- 曹华珍秦爱玲郑国渠杜征峥
- 关键词：镍氨络合物阴极过程电结晶
