朱晓芳
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：燕山大学材料科学与工程学院亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 快速降温温度梯度法合成金刚石的晶体缺陷分析
- 2012年
- 采用同步辐射白光貌相术研究了快速降温温度梯度法合成的大颗粒金刚石单晶体的晶体缺陷。晶体生长的早期形成了沿±[100]和±[010]方向延伸的平直位错,位错线均起源于种晶表面。晶体生长中期向[001-]方向生长,未生成新位错。在晶体生长的末期,形成了大量位错束,这些位错束由多条直线形位错组成,每个位错束中的所有位错生成于同一位错源,分布在扇形区域内,扇形夹角大多数在30°以内。这些扇形位错束的位错源均位于靠近晶体外表面的晶体内,在靠近(1-00)的晶面附近分布最多,(100)晶面附近比较多。少部分靠近(010)和(01-0)晶面。位错束的生长方向主要分布在[1-00]至[1-01-]区域和[001-]附近区域,少量向[010]、[01-0]方向延伸。位错束的形成和晶体合成末期的快速降温具有密切的关系。
- 于万里朱晓芳梁宝玉李英贾晓鹏黄万霞朱佩平
- 关键词：合成金刚石晶体缺陷
