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机构

  • 47篇北京无线电测...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国航天科工...

作者

  • 47篇曹佳
  • 6篇门涛
  • 4篇田建伟
  • 2篇张萌
  • 1篇孟飞
  • 1篇李君
  • 1篇杨帆

传媒

  • 1篇导航与控制
  • 1篇雷达科学与技...

年份

  • 6篇2024
  • 11篇2023
  • 9篇2022
  • 8篇2021
  • 5篇2020
  • 6篇2019
  • 2篇2017
47 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种正交变频接收机
本发明公开一种正交变频接收机,应用于毫米波雷达收发系统,该正交变频接收机包括:一分四差分功率分配器及分别与该一分四差分功率分配器连接的四个接收通道,其中四个接收通道中的每个包括:低噪声放大器、正交混频器、正交信号发生器、...
陈鹏鹏曹佳陈鹏伟彭尧齐全文
文献传递
一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法,所述方法包括:清洗氧化镓基底;在氧化镓基底的正面外延一层氧化镓本征层;使用电子束蒸发工艺,在氧化镓基底的背面沉积一层Ti金属层,并在Ti金属层上沉积第一Au金属层;将沉积了...
张少鹏曹佳
一种开关矩阵及在所述开关矩阵中信号传输的四种方法
本发明的一个实施例公开了一种开关矩阵及在所述开关矩阵中信号传输的四种方法,所述开关矩阵包括威尔金森功分器模块、1/4的波长传输线模块、单刀双掷开关模块,威尔金森功分器模块通过开关的闭合使得威尔金森功分器负载保持50欧姆,...
陈鹏鹏曹佳彭尧
文献传递
一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法
本发明实施例公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法,在一个具体示例中,所述氧化镓肖特基二极管自下而上包括:第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层、氧化镓基底层和氧化镓本征层,所述氧化镓本征层的上方设置有场板;在所述氧化...
张少鹏曹佳
一种减薄介质层的氧化镓肖特基二极管及制备方法
本发明实施例公开一种减薄介质层的氧化镓肖特基二极管及制备方法。自下而上包括第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层、β相单晶氧化镓基底层和β相单晶氧化镓本征层,β相单晶氧化镓本征层的中心位置上方设置有厚度为1nm‑4nm且...
张少鹏曹佳
一种T型匹配谐振增强型光电探测器接收网络
本发明公开一种T型匹配谐振增强型光电探测器接收网络,所述T型匹配谐振增强型光电探测器接收网络包含探测器芯片、T型谐振匹配网络、偏置电路;T型谐振匹配网络与探测器连接,用于与负载阻抗匹配。本发明所述T型谐振匹配网络与探测器...
韩亚茹曹佳
一种T型匹配谐振增强型光电探测器接收网络
本发明公开一种T型匹配谐振增强型光电探测器接收网络,所述T型匹配谐振增强型光电探测器接收网络包含探测器芯片、T型谐振匹配网络、偏置电路;T型谐振匹配网络与探测器连接,用于与负载阻抗匹配。本发明所述T型谐振匹配网络与探测器...
韩亚茹曹佳
一种半导体器件的T型栅及其制备方法
本发明公开了一种半导体器件的T型栅及其制备方法,所述方法包括:在外延片上设置表面钝化层和牺牲层;在牺牲层的表面涂敷光刻胶,采用i‑line光刻工艺制备出光刻胶线条图形;刻蚀去除未被光刻胶线条图形覆盖的牺牲层,并侧向刻蚀被...
董鹏边旭明廖梦雅徐浩杨云畅曹佳王琦
一种有源矢量调制器
本发明公开一种有源矢量调制器,该有源矢量调制器的一个具体实施方式包括:输入变压器巴伦、片上差分正交耦合器、I路可变增益放大器、Q路可变增益放大器、数模转换器和输出变压器巴伦;输入变压器巴伦的输入端接收射频输入信号,输出端...
齐全文曹佳陈鹏鹏
文献传递
一种中功率低附加调幅多功能芯片
本发明公开了一种中功率低附加调幅多功能芯片,包括1分2功率分配器和两个收发通道,每个收发通道的数控衰减器单元的输入端口是芯片信号输入端,输出端口与中功率接收放大器单元的输入端口相连,接收放大器单元的输出端口与收发开关单元...
郝迦琛孟飞万祥文晓敏曹佳
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