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张青竹

作品数:8 被引量:34H指数:2
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国际科技合作与交流专项项目北京市科技新星计划国家科技重大专项更多>>
相关领域:自动化与计算机技术一般工业技术电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 2篇电极
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇生化传感器
  • 2篇生物传感
  • 2篇纳米片
  • 2篇纳米线
  • 2篇结尾
  • 2篇刻蚀
  • 2篇活性基团
  • 2篇基团
  • 1篇形核
  • 1篇有机半导体
  • 1篇原子
  • 1篇原子晶体
  • 1篇生物传感器
  • 1篇石墨

机构

  • 8篇北京有色金属...
  • 3篇中国科学院微...
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇贵州大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 8篇张青竹
  • 5篇魏峰
  • 5篇赵鸿滨
  • 4篇杜军
  • 4篇屠海令
  • 2篇张青竹
  • 1篇殷华湘
  • 1篇王桂磊
  • 1篇李志华
  • 1篇李俊杰

传媒

  • 3篇稀有金属
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究被引量:2
2018年
针对5 nm CMOS技术代亟待解决的纳米线释放难题,通过实验探究了HF(6%)∶H_2O_2(30%)∶CH_3COOH(99.8%)=1∶2∶3的混合溶液放置时间对纳米尺度外延堆叠GeSi/Si/GeSi/Si结构释放影响。混合溶液放置时间在48 h内,GeSi层的腐蚀速率会随着溶液的放置时间的增加而变大,48 h后腐蚀速率趋于稳定。另外,在厚度相同的情况下,Ge Si层的腐蚀速率会随着Ge含量的增加而变大。本文实现了腐蚀纳米尺度GeSi的同时没有对Si造成损伤,对于厚度为31.3 nm的GeSi层,腐蚀的深宽比达到了17∶1,而且没有出现倒塌现象。该湿法腐蚀工艺对于5 nm及以下技术代堆叠纳米线制造、SON结构、新型MEMS和传感器件制造等具有一定的借鉴和指导意义。
曹志军张青竹张青竹闫江王桂磊王桂磊李俊杰殷华湘殷华湘李志华
关键词:GESI纳米线
硅纳米线制备技术、器件特性及生物传感应用研究
本论文针对集成电路发展面临的挑战,探索了增强栅控特性的新器件结构技术方案,包括:开发了扇贝形S-FinFET,GAA Si NW和堆叠GAA Si NW MOSFET制备的关键技术,并获得了优异的器件结构和电学性能;同时...
张青竹
关键词:硅纳米线生物传感器
文献传递
新型传感材料与器件研究进展被引量:25
2019年
新型传感技术融合了材料科学、微纳电子技术、生物技术等学科,是人工智能、精准医疗、新能源等战略前沿的先导和基础,也是智慧城市、智慧医疗等物联网应用的技术关键。智能化、微型化、多功能化、低功耗、低成本、高灵敏度、高可靠性是新型传感器件的发展趋势和主要研究方向。新型传感器件的传感性能很大程度上取决于传感材料的化学成分、表面修饰、传感层微观结构和完整性等因素。近年来,新型传感材料与器件的研究方兴未艾,为现代传感技术的深入开发与应用带来了新的机遇。本文综述了新型传感材料,包括硅纳米线、石墨烯、碳纳米管、二维材料、金属有机框架材料、水凝胶材料以及有机半导体材料等在力学传感、声学传感、生物传感、爆炸物监测等方面的应用。讨论了微机电系统(MEMS)和纳机电系统(NEMS)传感器技术,以及柔性可穿戴传感器相关材料、器件结构和制造方法的最新进展。
屠海令赵鸿滨魏峰张青竹樊彦艳杜军
关键词:传感器件石墨烯有机半导体生物传感微机电系统
基于纳米片堆叠结构的生化传感器
本实用新型公开了一种基于纳米片堆叠结构的生化传感器。该生化传感器包括:SOI衬底、通过选择性刻蚀由牺牲层/敏感材料层构成的多堆叠层而形成的具有敏感材料的多层悬空堆叠结构、形成在多层悬空堆叠结构上的阳电极和阴电极、附着在多...
张青竹屠海令魏峰赵鸿滨杜军
文献传递
基于纳米片堆叠结构的生化传感器及其制作方法
本发明公开了一种基于纳米片堆叠结构的生化传感器及其制作方法。该生化传感器包括:SOI衬底、通过选择性刻蚀由牺牲层/敏感材料层构成的多堆叠层而形成的具有敏感材料的多层悬空堆叠结构、形成在多层悬空堆叠结构上的阳电极和阴电极、...
张青竹屠海令魏峰赵鸿滨杜军
文献传递
CVD法制备二维MoS_(2)的形貌调控研究被引量:2
2020年
采用常压化学气相沉积法(CVD)生长了单层、双层及多层二维MoS_(2),通过形核促进剂对生长基体进行处理,生长了不同形貌尺寸的MoS_(2),并使用拉曼光谱和原子力显微镜(AFM)进行形貌与结构表征,分析探索了在化学气相沉积系统下的二维MoS_(2)生长规律。结果表明,生长温度与时间、CVD通入气体的载气流量能够显著影响二维MoS_(2)的尺寸、层数及结构等性质。其中生长时间是影响二维MoS_(2)的层数的决定因素,载气流量能够影响二维MoS_(2)结构的稳定性,生长温度则可显著影响MoS2的生长尺寸。通过构建生长模型与分析,解释了在富硫、缺硫和平衡氛围下,导致MoS_(2)的不同几何形状生长倾向的原因。富硫和缺硫氛围下S-zz和Mo-zz边生长速率差异较大,因此MoS_(2)倾向于三角形生长;平衡氛围下S-zz和Mo-zz边生长速率相近,故倾向于六边形生长。这为生长特定形貌尺寸的单层MoS_(2)提供了参考。
张鑫赵鸿滨张青竹张青竹
关键词:二硫化钼化学气相沉积
体硅介质隔离FinFET源漏全金属化研究
本文首次详细研究在介质隔离多栅纳米器件(FOI-FinFET)器件上源漏全金属化工艺.采用Ni (Pt)金属将源漏形成全金属化的fin,使器件接触电阻分别减小10倍和1倍,同时没有带来明显漏电流增加.通过采用全金属化源漏...
张青竹
关键词:SILICIDEMOBILITY
二维原子晶体材料及其范德华异质结构研究进展被引量:5
2017年
2004年英国曼彻斯特大学Geim研究组成功剥离出石墨烯(graphene)以来,二维原子晶体(two-dimensional atomic crystals)材料获得了极大关注。二维原子晶体材料及其范德华异质结构(van der Waals heterostructures)具有电学、热学、力学、化学及光学等方面的众多优异特性,可广泛于电子、催化、储能、生物医学、复合材料等领域。特别是石墨烯,被认为是后摩尔时代的关键材料。二维原子晶体材料除了可制备微电子与光电子器件外,还可能应用到多种新型功能器件。综述了石墨烯(graphene)、二硫化钼(Mo S2)、磷烯(phosphorene)等二维原子晶体材料的合成生长、性能表征与器件制备,并重点讨论了二维原子晶体材料及其范德华异质结在微纳电子领域的研究进展和应用前景。
屠海令赵鸿滨魏峰张青竹杜军
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