- BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成
- 2007年
- 对大注入情况下的双极型静电感应晶体管(Bipolar Static Induction Transistor,简称BSIT)的特性作了数值分析。器件尺寸为15000nm×200000nm。分析结果表明,当栅源电压大于0.5V时,在适当的漏源电压下,漏电流就会达到饱和。在大注入情况下,漂移区出现电导调制区(Conductivity-modulation Region,简称CMR),漏源电压很小时,就会导致漏电流的剧增。漏电流的饱和与CMR的收缩有关,漏源电压的增加导致CMR的收缩。在CMR收缩时形成了偶极区,该区域是中性区,其空间大小及其中的电场与漏电压呈线性比例关系。这一关系将导致饱和电流随漏电压成比例地线性变化。
- 杨建红汪再兴张辉闫锐
- 关键词：晶体管电导调制双极型晶体管
