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刘阳辉

作品数:5 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金宁波市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电极
  • 2篇栅介质
  • 2篇制法
  • 2篇突触
  • 2篇离子
  • 2篇离子导体
  • 2篇晶体管
  • 2篇多栅
  • 1篇低工作电压
  • 1篇电池
  • 1篇钝化
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔SIO2
  • 1篇原子层沉积
  • 1篇增强型
  • 1篇双电层
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇体硅
  • 1篇介质层

机构

  • 4篇中国科学院宁...
  • 1篇湖南大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 5篇刘阳辉
  • 4篇竺立强
  • 3篇肖惠
  • 1篇李想
  • 1篇颜钟惠
  • 1篇张洪亮

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2013
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
具有多端结构的人造突触器件及其制法和应用
本发明公开了具有多端结构的人造突触器件及其制法和应用。具体地,本发明的人造突触器件包含:依次叠加在衬底上的n个“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元,每一个所述“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元包含栅介质底层和沉积在其上的浮栅电...
竺立强刘阳辉万昌锦肖惠
文献传递
低工作电压反相器及其制作方法
本发明公开了一种低工作电压反相器及其制作方法。本发明的反相器包含形成在绝缘衬底上的第一晶体管和第二晶体管,其中,所述第一晶体管以耗尽型模式工作,所述第二晶体管以增强型模式工作,并且,所述第一晶体管和第二晶体管的栅介质层由...
竺立强肖惠万昌锦刘阳辉
文献传递
原子层沉积Al_2O_3薄膜钝化n型单晶硅表面的研究被引量:3
2013年
以三甲基铝(TMA)和水为反应源,采用原子层沉积(ALD)技术在n型单晶硅表面沉积15nm、30nm和100nm的Al2O3薄膜,并对样品进行快速退火(RTA)处理。采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿命,获得了表面复合速率(SRV),通过X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的化学成分,在此基础上研究了薄膜厚度及退火条件对钝化效果的影响,并分析了钝化机理。结果表明:ALD技术制备的Al2O3薄膜经退火后可使n型单晶硅SRV值降低到7cm/s,表面钝化效果显著。
李想颜钟惠刘阳辉竺立强
关键词:太阳能电池原子层沉积AL2O3薄膜
具有多端结构的人造突触器件及其制法和应用
本发明公开了具有多端结构的人造突触器件及其制法和应用。具体地,本发明的人造突触器件包含:依次叠加在衬底上的n个“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元,每一个所述“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元包含栅介质底层和沉积在其上的浮栅电...
竺立强刘阳辉万昌锦肖惠
文献传递
磷酸处理对多孔SiO_2薄膜质子导电特性和双电层薄膜晶体管性能的影响
2014年
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了多孔SiO2薄膜,系统地研究了不同浓度磷酸处理对多孔SiO2薄膜的质子导电特性、双电层电容和以此多孔SiO2薄膜为栅介质的铟锌氧(IZO)双电层薄膜晶体管性能的影响。结果表明:多孔SiO2薄膜的质子电导率和双电层电容随磷酸浓度升高而增大,60%浓度磷酸处理后多孔SiO2薄膜质子电导率和双电层电容分别达到1.51×10-4 S/cm和6.33μF/cm2。随磷酸浓度升高,双电层薄膜晶体管的工作电压降低,并且,电流开关比也变大。其中60%浓度磷酸处理后器件工作电压为1.2 V,迁移率为20 cm2/(V·s),电流开关比为4×106。这种双电层薄膜晶体管有望应用在化学和生物传感等领域。
万相刘阳辉张洪亮
关键词:双电层薄膜晶体管多孔SIO2
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